NV-LPDDR4是一种低压接口，与此前的I/O接口相比，每比特传输能耗可降低至少30%。因此，232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡，是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外，该接口还可向后兼容，支持传统控制器和系统。

232层NAND紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计，同时实现超越历代产品的每平方毫米最高的TLC密度(14.6Gb/mm2)3。其面密度比当今市场上的TLC竞品高35%到100%3。

它还采用全新的11.5mmx13.5mm封装规格，较前几代产品的封装尺寸小28%2，使其成为目前市场上尺寸最小的高密度NAND3。

该产品兼具小体积和高密度，因此占用更小的电路板空间，适用于各类部署。

堆叠层数的NAND，实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间，提升云计算性能，加快AI模型的训练速度，从而能够保持长期的技术领先地位。美光232层NAND为端到端存储创新确立了新基准，助推多个行业的数字化转型。

聚醚酰亚胺(PEI)树脂并适用表面贴装技术（SMT）的材料——ULTEM™3473树脂。这款新产品旨在通过提供金属替代来应对5G基站小型化和轻量化的市场趋势。

借助注塑成型工艺，天线振子和射频腔体滤波器的腔体可以进行一体化生产。这种方法简化了生产流程，而且有望实现额外的重量减轻和系统成本降低等优势。

例如，ULTEM 3473树脂有助于将金属腔体滤波器的重量减轻高达40%。在一个大规模多收多发天线滤波器的典型基站中，这种重量减轻会非常明显。此外，这款新型树脂还有助于实现天线滤波器一体化（AFU）的创新设计——这种设计无法通过金属来实现。

NSi1303是集成了内部时钟的隔离式Sigma-Delta调制器，内部时钟具有10MHz和20MHz两种选项，输出数据流与内部时钟保持同步。

NSi1303对应的线性差分输入信号范围为±50mV(满量程±64mV)或±250mV范围(满量程±320mV)，±50mV输入范围对应4.9k差分输入阻抗，±250mV输入范围对应22k差分输入阻抗。

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