控制包括车载传感器和摄像头在内的ADAS系统的SoC和微控制器也日益复杂（为提高处理能力而提高电流、为省电而降低电压），这就要求向它们供电的电源IC，要在负载电流波动的严苛条件下，也能更稳定地运行。

为了满足对这些电源IC的特性要求，ROHM在2017年针对低电压输出确立了超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，高速负载响应技术“QuiCur™”。此次，通过首次将QuiCur™技术融入ROHM新产品中，在同等性能的车载二次侧DC-DC转换器IC中，实现了业界先进的超稳定运行。

新产品满足性能日益提升的SoC（System on a Chip）和微控制器的二次侧*2电源应用所需求的小尺寸、4A输出电流、开关工作频率2MHz以上以及0.6V低压输出。

新一代IGBT（AE5）的关键特性

包含四款针对400-800V逆变器的产品：750V耐压（220A和300A）及1200V耐压（150A和200A）

在-40°C至175°C的整个工作结温（Tj）范围内性能稳定

业界高性能水平，导通电压Vce（饱和电压）为1.3V（最小化功率损耗的关键值）

电流密度比传统产品高10%，小芯片尺寸（100mm2/300A）针对低功耗和高输入电阻进行优化

通过减少对VGE（off）的参数变化至±0.5V来实现稳定的并联操作

保持反向偏置安全工作区（RBSOA），在 175°C结温下最大Ic电流脉冲为600A，在400V下具有4μs的高度稳健短路耐受时间.

AEA800F针对对流冷却的方式进行了优化，使其可以在-20至+70摄氏度的环境温度下工作。

将继续扩大产品组合，以满足更广泛的汽车应用对更高速度和更大容量变速器的需求。

栅极电阻（Rg）的温度依赖性缩减50%，由此最大限度地减少高温下的开关损耗、低温下的尖峰电压和短路耐受时间，支持高性能设计

可作为裸片（晶圆）提供,能够减少逆变器的功率损失。在相同的电流密度下，与目前的AE4工艺相比功率效率提升6%，使EV能够用更少的电池行驶更远的距离

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