美国国家半导体公司(National Semiconductor Corporation，简称国半)日前推出一款可支持高效率系统的迟滞P场效应晶体管(P-FET)降压控制器——LM3475。此器件的控制器芯片采用小巧的SOT23-5封装，特点是设有可以简精系统设计的迟滞控制电路。采用这款LM3475降压控制器，系统设计工程师无需为系统提供外部补偿，也能确保多种不同的元件稳定操作，而系统则可以作出快速瞬态响应。迟滞控制电路甚至在极小负载下也能支持高效率操作。P场效应晶体管结构可以降低所需元件的数目，将占空度提高至100%，而且操作时产生的压降很低。  

    这款控制器芯片适用于多种不同的典型应用，其中包括TFT监视器、汽车个人电脑系统、汽车保安导航系统、笔记本电脑后备电源供应器、以电池供电的便携式电子产品以及配电系统。  

    国半LM3475控制器的可调节输出电压介于0.8V与输入电压(VIN)之间；典型效率达90%；在-40℃至+125℃的温度范围内反馈电压达±1.5%，反馈电压基准精度为±0.9%；最高操作频率达2MHz；具备内部软启动功能。  

　　（文章来源：中国电子元器件网）