东芝新型DTMOS功率MOSFET最大导通电阻仅0.3Ω
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:224
东芝(Toshiba)公司日前宣布推出一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET。由于拥有垂直通道，超结合技术结构(Super Junction Structure)允许电流在硅衬底顺利流通，从而降低了导通电阻。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上，同系列的东芝DTMOS设备与东芝传统的MOSFET相比，导通电阻的栅极电荷(Qg)减少40%。
首款采用DTMOS技术的产品是TK15A60S，它定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器等应用。东芝公司将于近日发布最新MOSFET样品，将在2005年4月投入生产。
TK15A60S的工作电流/电压为15A/600V，最大导通电阻0.3Ω，采用TO-220SIS封装，样品于2005年3月面世，定价300日圆(仅供参考)。
（转自 电子工程专辑）
东芝(Toshiba)公司日前宣布推出一种被命名为DTMOS的新式功率MOSFET。由于拥有垂直通道，超结合技术结构(Super Junction Structure)允许电流在硅衬底顺利流通，从而降低了导通电阻。在应用超结合技术结构和优化设备的基础上，同系列的东芝DTMOS设备与东芝传统的MOSFET相比，导通电阻的栅极电荷(Qg)减少40%。
首款采用DTMOS技术的产品是TK15A60S，它定位于电视机电源、家用电器、交流电适配器、照明镇流器等应用。东芝公司将于近日发布最新MOSFET样品，将在2005年4月投入生产。
TK15A60S的工作电流/电压为15A/600V，最大导通电阻0.3Ω，采用TO-220SIS封装，样品于2005年3月面世，定价300日圆(仅供参考)。
（转自 电子工程专辑）
相关技术资料- 6-26MCU、模拟芯片及传感器芯片市场发展趋势分析
- 6-26高性能图像及语音处理AI芯片勘智K510
- 6-266B系列MSO（混合信号示波器）应用探究
- 6-26双脉冲测试软件 (WBG-DPT)技术参数设计
- 6-26业内首颗1.8亿像素全画幅CMOS图像传感器（CIS）
- 6-26eBike驱动电机产品Performance系列Active
- 6-25GPU、CPU、FPGA、DSP和ADC优特点及应用区别
- 6-25全球首款超低功耗60G毫米波雷达SoC芯片系列
- 6-25全新Robotaxi App应用前景分析
- 6-253nm GAA工艺Exynos 2500芯片探究
- 6-25FOWLP（扇出型晶圆级封装）参数技术封装分析
- 6-25三星Exynos 2500芯片应用解读
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
