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电容充放电性能直接影响到微处理器供电电路的退藕性能

发布时间:2022/11/9 13:29:44 访问次数:147

固态铝电解电容具有极长的使用寿命(使用寿命超过50年)。与液态铝电解电容相比,可以算作“长命百岁”了。它不会被击穿,也不必担心液态电解质干涸以及外泄影响主板稳定性。由于没有液态电解质诸多问题的困扰,固态铝电解电容使主板更加稳定可靠。

固态的电解质在高热环境下不会像液态电解质那样蒸发膨胀,甚至燃烧。即使电容的温度超过其耐受极限,固态电解质仅仅是熔化,这样不会引发电容金属外壳爆裂,因而十分安全。

工作温度直接影响到电解电容的寿命,固态电解电容与液态电解电容在不同温度环境下寿命明显较长。

ESR越低,电容充放电的速度越快,这个性能直接影响到微处理器供电电路的退藕性能,在高频电路中固态电解电容的低ESR特性的优势更加明显。

遗传模拟退火算法对BP网络的权重进行修正,提升BP网络的预测效果,改善网络陷入局部最小值的问题。陈先飞等人通过构建多变量灰色遗传的中长期预测模型,显著提升了预测准确度。

基于数据的聚类法进行预测,避免了复杂的调参过程,提升了预测的效率。吴耀武等人采用Dempster合成法与yager组合规则,提出了基于改进证据理论的预测模型。

为了改进BP网络初始权重和阈值难以确定导致的模型预测精度较低的问题,可以采用蚁群算法(ACO)进行寻优,但蚁群算法同样可能由于信息素更新问题陷入局部最优或训练时间过长。

新产品系列降低了各种采用SMD封装和THD封装的器件的导通电阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60mΩ。

设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间,降低BOM成本和生产成本。

其柵极-源极阈值电压(V(GS),th)为3V,V(GS),th最低变化范围为±0.5V,可方便新器件的设计导入和驱动,提高了设计自由度;利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式,降低了驱动电压和闲置损耗。


来源:21IC.如涉版权请联系删除。图片供参考

固态铝电解电容具有极长的使用寿命(使用寿命超过50年)。与液态铝电解电容相比,可以算作“长命百岁”了。它不会被击穿,也不必担心液态电解质干涸以及外泄影响主板稳定性。由于没有液态电解质诸多问题的困扰,固态铝电解电容使主板更加稳定可靠。

固态的电解质在高热环境下不会像液态电解质那样蒸发膨胀,甚至燃烧。即使电容的温度超过其耐受极限,固态电解质仅仅是熔化,这样不会引发电容金属外壳爆裂,因而十分安全。

工作温度直接影响到电解电容的寿命,固态电解电容与液态电解电容在不同温度环境下寿命明显较长。

ESR越低,电容充放电的速度越快,这个性能直接影响到微处理器供电电路的退藕性能,在高频电路中固态电解电容的低ESR特性的优势更加明显。

遗传模拟退火算法对BP网络的权重进行修正,提升BP网络的预测效果,改善网络陷入局部最小值的问题。陈先飞等人通过构建多变量灰色遗传的中长期预测模型,显著提升了预测准确度。

基于数据的聚类法进行预测,避免了复杂的调参过程,提升了预测的效率。吴耀武等人采用Dempster合成法与yager组合规则,提出了基于改进证据理论的预测模型。

为了改进BP网络初始权重和阈值难以确定导致的模型预测精度较低的问题,可以采用蚁群算法(ACO)进行寻优,但蚁群算法同样可能由于信息素更新问题陷入局部最优或训练时间过长。

新产品系列降低了各种采用SMD封装和THD封装的器件的导通电阻(RDS(on))值,最高可降低55%,例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60mΩ。

设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间,降低BOM成本和生产成本。

其柵极-源极阈值电压(V(GS),th)为3V,V(GS),th最低变化范围为±0.5V,可方便新器件的设计导入和驱动,提高了设计自由度;利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式,降低了驱动电压和闲置损耗。


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