表面贴装D2PAK-7L封装的七款750V碳化硅(SiC)FET，借助此封装选项，SiC FET可为车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电(快速DC和工业)以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。

这种广泛的选择可为工程师提供更多的器件选项，从而具有更高的灵活性，以实现更佳的成本/效率平衡，同时保持充足的设计冗余和电路稳健性。

利用独特的级联式（cascode)SiC FET 技术，其中常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装以生成常关型SiC FET，这些器件可提供同类更佳的 RDSxA品质因数，能够以较小芯片实现较低传导损耗。

新的GTX系列金属外壳三相滤波器。该系列满足了对EMI-RFI滤波器日益增长的需求，借此即可抑制通用逆变器和医疗电源中的电磁传导噪声。

KEMET GTX金属外壳滤波器可满足具有各种特性的三相EMC要求。这些滤波器采用纳米晶磁芯制作，以紧凑的尺寸实现了出色的阻尼和衰减特性，并具有更宽的频率范围。此外，还可以选择六种不同的Y电容器组合，从而支持各种设备拓扑。这些滤波器是业内容积效率最高的滤波器。

由于其高机械密度,它们结构紧凑、重量轻，而对于抑制EMC至关重要的工业和医疗应用，亦是理想选择。

PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性,在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。

在VGS=4.5V时，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别为50mΩ和55mΩ。因此，在市场上类似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导通电阻最低。

此外，PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中，还可提供额定2kV ESD保护*=(人体模型–HBM).这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A。

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