可编转换速率高达12KHz线缆调制解调器和数字机顶盒
发布时间:2022/9/26 22:44:05 访问次数:52
NOR闪存和假SRAM组合在一个封装的MCP 器件IS75V16F64GS16 和 IS75V16F64GS32。这些新产品有高密度随机存取存储器16M位或32M位的假SRAM(PSRAM)和64M位闪存。
这些产品支持2.7V到3.1V的电源和I/O电压，闪存的快速存取时间为70ns，而PSRAM则最大为70ns。其它特性还有，闪存和PSRAM的待机电流低，工作电流在70mA。因此，非常适合用在需要更低功耗的地方，以延长电池的寿命。
ISSI的MCP解决方案能理想地用在需要高性能低功耗和小占位尺寸的地方，如移动手机，PDA，手持个人计算机，全球定位系统(GPS)，无线调制解调器，双向寻呼机以及手持工业数字设备。
AD8328的增益范围59dB，采用8位串行码可编程，每步改变1dB，同时采用差分或单端输入。它的输出通过2：1变压器能驱动75欧姆负载。在65MHz时，输出电平60dBmV,整个温度内最坏情况下的失真为-50dBc。工作电压为单电源5V。
AD8328有发送不能模式，以降低静态电流到2.6mA，睡眠模式进一步降低电流到200mA.
AD7738提供高达8KHz的通道开关速率，业界最快的Sigma-Delta结构。主要特性有：0.0015%非线性，可编转换速率高达12KHz,低压和高压检测功能，三线串行接口(SPI，QSPI，MICROWIRE和DSP兼容)和单电源供电(5V模拟电源和3V或者V数字电源)。
NOR闪存和假SRAM组合在一个封装的MCP 器件IS75V16F64GS16 和 IS75V16F64GS32。这些新产品有高密度随机存取存储器16M位或32M位的假SRAM(PSRAM)和64M位闪存。
这些产品支持2.7V到3.1V的电源和I/O电压，闪存的快速存取时间为70ns，而PSRAM则最大为70ns。其它特性还有，闪存和PSRAM的待机电流低，工作电流在70mA。因此，非常适合用在需要更低功耗的地方，以延长电池的寿命。
ISSI的MCP解决方案能理想地用在需要高性能低功耗和小占位尺寸的地方，如移动手机，PDA，手持个人计算机，全球定位系统(GPS)，无线调制解调器，双向寻呼机以及手持工业数字设备。
AD8328的增益范围59dB，采用8位串行码可编程，每步改变1dB，同时采用差分或单端输入。它的输出通过2：1变压器能驱动75欧姆负载。在65MHz时，输出电平60dBmV,整个温度内最坏情况下的失真为-50dBc。工作电压为单电源5V。
AD8328有发送不能模式，以降低静态电流到2.6mA，睡眠模式进一步降低电流到200mA.
AD7738提供高达8KHz的通道开关速率，业界最快的Sigma-Delta结构。主要特性有：0.0015%非线性，可编转换速率高达12KHz,低压和高压检测功能，三线串行接口(SPI，QSPI，MICROWIRE和DSP兼容)和单电源供电(5V模拟电源和3V或者V数字电源)。
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