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六个C55x核心双差分转发器/转换器以及1:2的分裂器

发布时间:2022/9/26 22:47:39 访问次数:142

带次级调谐输入的射极耦合逻辑(ECL)可编程延迟芯片MC100EP196,校正网络系统、图形产生、以及测试和仪表设备中的脉冲和数据格式化之时钟歪曲率。

由于半导体元件朝着更高频率发展,标准延迟器件的现行精度等级不足以控制先进网络系统中的定时信号。设计人员目前正在努力解决时序信号之间的歪曲问题,这种歪曲是因为信号到达周期减少,而由电路板的拓扑差别产生的。

在高过1.2千兆赫(GHz)的工作频率下,与3.3伏,5伏ECL可编程延迟芯片MC100EP195相比,MC100EP196具有相同的高性能,可在10皮秒(ps)单位内进行2.2至12.2纳秒(ns)延迟定时。

LVDS122是业界最快的最低抖动的2X2 LVDS交叉开关,它有LVDS输出,输入是LVDS或LVPECL。工作速度为1.5Gbps,LVDS122很适合用在千兆比特以太网,OC-12时钟分配和其它实用性要求严格的系统。器件也能工作在双差分转发器/转换器以及1:2的分裂器。

开始,AD8328是工业标准出脚的20引脚QSOP封装,由于新的20引脚4x4mm LFCSP封装有较好的热特性,现在采用这种无引脚的封装。

PSRAM解决方案比等效的六晶体管SRAM成本更低。这和模块提高空间效率一起,使闪存和假SRAM封在一起的MCP,非常适合用在需要高性能和低功耗的移动领域。

PSRAM技术采用有简便SRAM I/O接口的单元DRAM核,因而有更高的密度,每位功耗更低,芯片面积更小。从功能上来讲,PSRAM用作缓冲器和工作存储器,而NOD闪存则存储数据,操作代码和各种的通信协议。NOR闪存有由用户可配置的区块,以便有更好的性能和灵活性。

功耗最低的VOP处理器,也是第一款在 TI TMS320VC55x 架构上精心设计的多内核设备,该架构在仅一枚硬币大小的封装内集成了六个C55x核心、片上内存及优化的外设,从而使设备设计者能够显著提高其系统的信息密度。

AC491不仅可以作为AudioCodes模块与主板的构建框架,而且还能作为高密度网关的VOP处理器。



带次级调谐输入的射极耦合逻辑(ECL)可编程延迟芯片MC100EP196,校正网络系统、图形产生、以及测试和仪表设备中的脉冲和数据格式化之时钟歪曲率。

由于半导体元件朝着更高频率发展,标准延迟器件的现行精度等级不足以控制先进网络系统中的定时信号。设计人员目前正在努力解决时序信号之间的歪曲问题,这种歪曲是因为信号到达周期减少,而由电路板的拓扑差别产生的。

在高过1.2千兆赫(GHz)的工作频率下,与3.3伏,5伏ECL可编程延迟芯片MC100EP195相比,MC100EP196具有相同的高性能,可在10皮秒(ps)单位内进行2.2至12.2纳秒(ns)延迟定时。

LVDS122是业界最快的最低抖动的2X2 LVDS交叉开关,它有LVDS输出,输入是LVDS或LVPECL。工作速度为1.5Gbps,LVDS122很适合用在千兆比特以太网,OC-12时钟分配和其它实用性要求严格的系统。器件也能工作在双差分转发器/转换器以及1:2的分裂器。

开始,AD8328是工业标准出脚的20引脚QSOP封装,由于新的20引脚4x4mm LFCSP封装有较好的热特性,现在采用这种无引脚的封装。

PSRAM解决方案比等效的六晶体管SRAM成本更低。这和模块提高空间效率一起,使闪存和假SRAM封在一起的MCP,非常适合用在需要高性能和低功耗的移动领域。

PSRAM技术采用有简便SRAM I/O接口的单元DRAM核,因而有更高的密度,每位功耗更低,芯片面积更小。从功能上来讲,PSRAM用作缓冲器和工作存储器,而NOD闪存则存储数据,操作代码和各种的通信协议。NOR闪存有由用户可配置的区块,以便有更好的性能和灵活性。

功耗最低的VOP处理器,也是第一款在 TI TMS320VC55x 架构上精心设计的多内核设备,该架构在仅一枚硬币大小的封装内集成了六个C55x核心、片上内存及优化的外设,从而使设备设计者能够显著提高其系统的信息密度。

AC491不仅可以作为AudioCodes模块与主板的构建框架,而且还能作为高密度网关的VOP处理器。



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