优化的完整数字前端（DFE）设计，帮助设计人员实现更快速、低成本3GPP LTE无线通信系统的开发。这是专门针对高性能3GPP LTE射频应用的业界第一款DFE设计。

该设计不仅能够降低总功耗，同时其高可扩展能力还能够支持从大型多扇区宏单元（multi-sector macrocell）基站到超微型基站的多种应用。

LTE DFE平台包括：高度优化的数字上变频（DUC）、数字下变频（DDC）以及削峰（CFR）模块，从而共同构成一个完整的LTE射频子系统。数字预失真（DPD）设计，因此系统架构师可快速开发和集成高性能商用LTE系统的所有数字系统单元。

同时，利用这一平台，设计人员可以在比采用传统专用标准器件（ASSP）和专用集成电路（ASIC）短得多的时间内完成系统设计。而此前的LTE开发系统都无法做到这些。

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根据待测三极管确定半导体特性图示仪旋钮、按键设定范围,将待测三极管按照极性插接到半导体特性图示仪检测插孔中,屏幕上即可显示相应的特性曲线。

NPN型三极管和PNP型三极管的输出特性曲线，为三极管特眭曲线的检测示例，三极管特性曲线的检测方法，使用半导体特性图示仪检测前,需要根据符测三极管的型号查找技术手册上的参数确定仪器旋钮、按键的设定范围,以便能够检测出正确的特性曲线。

NPN型三极管与PNP型三极管性能(特性曲线)检测方法相同,只是两种类型三极管的特性曲线正好相反。