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±0.75%准确度和0.6V至12.5V输出电压MCU用来数据运算

发布时间:2022/7/19 20:32:33 访问次数:198

嵌入式存储在和传统存储器件的对比中,有着一些自己独有的优势。而不同的应用环境对于嵌入式存储的方案有着各自的需求。其中包括OTP/MTP/EEPROM/EFLASH等不同存储IP,并且所有的嵌入式存储IP都通过了最高规格的车规级别,工作温度能达到-40℃到+175℃之间。


以嵌入式非易失性存储器为例,也就是我们常说的eNVM,它是存储芯片的一种类型。相对于独立存储器而言,嵌入式非易失性存储器芯片被嵌入芯片内部作为其功能的一部分。

按原理结构的不同,嵌入式存储器又可分为一次可编程(OTP)存储器,多次可编程(MTP)存储器,闪存(Flash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM),每种嵌入式存储器由于特性不同,适用的领域也有所不同。

LTC3855全部采用N沟道MOSFET,在4.5V至38V的输入电压范围内工作,可产生±0.75%准确度和0.6V至12.5V的输出电压。通过监控输出电感器(DCR)两端的压降或使用一个采样电阻器,可以对输出电流采样。可编程设定的DCR温度补偿在一个宽温度范围内保持准确和恒定的电流限制。

内置1.1Ω栅极驱动器最大限度地降低MOSFET开关损耗,并允许使用多个并联连接的MOSFET。

可在250kHz至770kHz 范围内通过编程设定一个固定工作频率,该固定工作频率也可用内部PLL同步至一个外部时钟。该器件仅为90ns的最短接通时间使LTC3855非常适用于高降压比应用。

从芯片架构的角度来讲,任何智能传感目前都需要on-board的MCU用来数据运算和处理,而MCU又离不开SRAM和NVM(主要是EEPROM和Flash)。

SoC最基本的功能是把传感器从外界捕捉的信号(主要是模拟信号)转换成数字信号,然后根据后端不同的协议转换数据以备后续的传输。整个系统中关于存储端必须要考虑的关键点是该存储单元的性能参数,大多数情况下这取决于整个SoC的应用场景。

因此,所用到的存储方案,在确保与系统中其余应用能够完美集成在一起的同时,也必须要有能力承受整个系统相同的工作条件,还要具备与传感器或者MCU本身要求相当的可靠性水平。



嵌入式存储在和传统存储器件的对比中,有着一些自己独有的优势。而不同的应用环境对于嵌入式存储的方案有着各自的需求。其中包括OTP/MTP/EEPROM/EFLASH等不同存储IP,并且所有的嵌入式存储IP都通过了最高规格的车规级别,工作温度能达到-40℃到+175℃之间。


以嵌入式非易失性存储器为例,也就是我们常说的eNVM,它是存储芯片的一种类型。相对于独立存储器而言,嵌入式非易失性存储器芯片被嵌入芯片内部作为其功能的一部分。

按原理结构的不同,嵌入式存储器又可分为一次可编程(OTP)存储器,多次可编程(MTP)存储器,闪存(Flash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM),每种嵌入式存储器由于特性不同,适用的领域也有所不同。

LTC3855全部采用N沟道MOSFET,在4.5V至38V的输入电压范围内工作,可产生±0.75%准确度和0.6V至12.5V的输出电压。通过监控输出电感器(DCR)两端的压降或使用一个采样电阻器,可以对输出电流采样。可编程设定的DCR温度补偿在一个宽温度范围内保持准确和恒定的电流限制。

内置1.1Ω栅极驱动器最大限度地降低MOSFET开关损耗,并允许使用多个并联连接的MOSFET。

可在250kHz至770kHz 范围内通过编程设定一个固定工作频率,该固定工作频率也可用内部PLL同步至一个外部时钟。该器件仅为90ns的最短接通时间使LTC3855非常适用于高降压比应用。

从芯片架构的角度来讲,任何智能传感目前都需要on-board的MCU用来数据运算和处理,而MCU又离不开SRAM和NVM(主要是EEPROM和Flash)。

SoC最基本的功能是把传感器从外界捕捉的信号(主要是模拟信号)转换成数字信号,然后根据后端不同的协议转换数据以备后续的传输。整个系统中关于存储端必须要考虑的关键点是该存储单元的性能参数,大多数情况下这取决于整个SoC的应用场景。

因此,所用到的存储方案,在确保与系统中其余应用能够完美集成在一起的同时,也必须要有能力承受整个系统相同的工作条件,还要具备与传感器或者MCU本身要求相当的可靠性水平。



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