低功耗休眠模式AVR闪存微控制器大电流能够烧穿氧化膜
发布时间:2022/5/10 17:32:49 访问次数:666
三款最新14管脚tinyAVR(R)产品加入到广泛的AVR闪存微控制器系列中。三款设备都具有管脚兼容的特点,仅在闪存、EEPROM和静态随机存取存储器(SRAM)的存储容量上有所不同。
ATtiny24的自编程闪存容量为2KB,而ATtiny44和ATtiny84则分别为4KB和8KB。这三款新设备在20MHz工作频率下的吞吐量均可达到20MIPS(每秒百万指令)。
由于具备与生俱来的低功耗特点和三种可单独选择的低功耗休眠模式,ATtiny24/44/84在电池供电设备上表现出色。
电池充电器,传感器终端和低端马达控制应用的AVR(R)闪存微控制器系列的三个新成员。
这样瞬间的大电流能够烧穿氧化膜,在显微镜下观察,形状类似一个个的弹坑。可见,实际上只要100V甚至更低的电压都能够对静电敏感元件造成损伤。
中国民航各维修车间对静电放电现象都给予高度重视,对静电敏感元件均须履行严格的防护操作规程。
有些电路如CMOS,是由超薄的互补金属氧化物半导体覆盖在硅芯片上制成的,只能承受几个毫安的电流.如果施加一个500V的电压,有百倍于设计极限那样强的电流开始流动。
在相同的输出功率下,该系列产品能提供更低的失真度。这使之成为MP3、CD 和DVD 播放机、手机、PDA、手提音箱和其他电池驱动的手持设备的理想音频前端。
三款最新14管脚tinyAVR(R)产品加入到广泛的AVR闪存微控制器系列中。三款设备都具有管脚兼容的特点,仅在闪存、EEPROM和静态随机存取存储器(SRAM)的存储容量上有所不同。
ATtiny24的自编程闪存容量为2KB,而ATtiny44和ATtiny84则分别为4KB和8KB。这三款新设备在20MHz工作频率下的吞吐量均可达到20MIPS(每秒百万指令)。
由于具备与生俱来的低功耗特点和三种可单独选择的低功耗休眠模式,ATtiny24/44/84在电池供电设备上表现出色。
电池充电器,传感器终端和低端马达控制应用的AVR(R)闪存微控制器系列的三个新成员。
这样瞬间的大电流能够烧穿氧化膜,在显微镜下观察,形状类似一个个的弹坑。可见,实际上只要100V甚至更低的电压都能够对静电敏感元件造成损伤。
中国民航各维修车间对静电放电现象都给予高度重视,对静电敏感元件均须履行严格的防护操作规程。
有些电路如CMOS,是由超薄的互补金属氧化物半导体覆盖在硅芯片上制成的,只能承受几个毫安的电流.如果施加一个500V的电压,有百倍于设计极限那样强的电流开始流动。
在相同的输出功率下,该系列产品能提供更低的失真度。这使之成为MP3、CD 和DVD 播放机、手机、PDA、手提音箱和其他电池驱动的手持设备的理想音频前端。