带内部功率MOSFET浪涌抑制器是一种集成电路装置
发布时间:2022/5/2 12:58:41 访问次数:1032
R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台，隔离电压高达5000VAC，远优于市场上常规产品(3750VAC），且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
IGBT/SiC MOSFET多为中低压应用，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是满足了爬电距离>14.14mm。
VD-Diode modulc二极管组件
VE-Ca0∶上furnishi旦g担anel(A330/A340)
客舱装饰版(A330/A340)
VG-Ground tenminal point地线接线桩
VN-Ground point接地点
VP-Pressurc scal/Fced thru压力封严
内置输出电流和输出电压限制使浪涌抑制器能保护负载电子不受高压输入浪涌影响，并保护电源免于遭受下游过载和短路。
可调定时器在电压或电流浪涌限制事件期间激活，保证系统不断电，连续运行，以应对短暂故障,如果故障的持续时间超过定时器时间，则系统断电。
R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台，隔离电压高达5000VAC，远优于市场上常规产品(3750VAC），且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
IGBT/SiC MOSFET多为中低压应用，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是满足了爬电距离>14.14mm。
VD-Diode modulc二极管组件
VE-Ca0∶上furnishi旦g担anel(A330/A340)
客舱装饰版(A330/A340)
VG-Ground tenminal point地线接线桩
VN-Ground point接地点
VP-Pressurc scal/Fced thru压力封严
内置输出电流和输出电压限制使浪涌抑制器能保护负载电子不受高压输入浪涌影响，并保护电源免于遭受下游过载和短路。
可调定时器在电压或电流浪涌限制事件期间激活，保证系统不断电，连续运行，以应对短暂故障,如果故障的持续时间超过定时器时间，则系统断电。
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