带内部功率MOSFET浪涌抑制器是一种集成电路装置
发布时间:2022/5/2 12:58:41 访问次数:971
R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台，隔离电压高达5000VAC，远优于市场上常规产品(3750VAC），且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
IGBT/SiC MOSFET多为中低压应用，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是满足了爬电距离>14.14mm。
VD-Diode modulc二极管组件
VE-Ca0∶上furnishi旦g担anel(A330/A340)
客舱装饰版(A330/A340)
VG-Ground tenminal point地线接线桩
VN-Ground point接地点
VP-Pressurc scal/Fced thru压力封严
内置输出电流和输出电压限制使浪涌抑制器能保护负载电子不受高压输入浪涌影响，并保护电源免于遭受下游过载和短路。
可调定时器在电压或电流浪涌限制事件期间激活，保证系统不断电，连续运行，以应对短暂故障,如果故障的持续时间超过定时器时间，则系统断电。
R3系列驱动电源产品基于自主IC设计平台，隔离电压高达5000VAC，远优于市场上常规产品(3750VAC），且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。
满足1700VDC长期绝缘要求(使用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）
IGBT/SiC MOSFET多为中低压应用，应用电压为650V/900V/1200V/1700V；R3系列驱动电源基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压(持续放电)满足1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；其中QA_H-R3/QA_HC-R3更是满足了爬电距离>14.14mm。
VD-Diode modulc二极管组件
VE-Ca0∶上furnishi旦g担anel(A330/A340)
客舱装饰版(A330/A340)
VG-Ground tenminal point地线接线桩
VN-Ground point接地点
VP-Pressurc scal/Fced thru压力封严
内置输出电流和输出电压限制使浪涌抑制器能保护负载电子不受高压输入浪涌影响，并保护电源免于遭受下游过载和短路。
可调定时器在电压或电流浪涌限制事件期间激活，保证系统不断电，连续运行，以应对短暂故障,如果故障的持续时间超过定时器时间，则系统断电。
相关技术资料- 4-26FIFO数据存储和中断控制在内数字电路为客户节省外部模数转换器
- 4-26高密度和功率要求满足数据密集型AI应用低延迟是10纳米工艺成功关键
- 4-26双晶体管密度提高3倍AI引擎性能提高至3TOPS每秒没有太多功耗增加
- 4-26终端电阻使通信线缆上电流增大产生较大压差降低接收端信号幅值
- 4-26500kbps通信速率的情况下不加终端电阻和加终端电阻的波形
- 4-26集成了功率FET来管理负载电流控制输出电压和调节输出斜率
- 4-26菊花链可以双向操作即使通信路径出现故障也能确保通信完整性
- 4-26发光芯片像素间距为40µm能将高分辨率图像投射到道路表面上
- 4-26290s内完成测量并且可以选择较低的数据采集速率来实现高降噪
- 4-26前置放大器电路集成在用作红外滤波器单体环氧树脂封装中
- 4-26功率的电能电压越高电流越小传输线上的功率损耗越小
- 4-26二极管的PN结两侧电子与空穴的自发复合而发光的现象
公网安备44030402000607
