芯片工艺的进步，比如从7nm到5nm，再到3nm，再到2nm。而过去的这些年，芯片厂商、晶圆厂商都是这么教育市场、教育消费者的，手机芯片、电脑从10nmn进步到7nm，再进步到5nm，再接着进入3nm。

事实上，当芯片进入到3nm后，要再提升工艺到2nm，甚至到埃米级(1埃米=0.1nm)是非常困难的，因为成本太高了，所以各大芯片厂商们，也一直在探索不靠提升芯片工艺，来提升芯片性能。

前几天台积电、ARM、英特尔等10大芯片厂商成立的Chiplet联盟，其实也是这个目的，通过封装各和种不同工艺，不同厂商的小芯片粒，达到工艺不变，性能提升的目的。

常见形状的测量 直线尺寸的测量;R尺寸的测量;内外直径的测量;孔深和壁厚的测量;中心距和中心高的测量;角度的测量;螺距的测量等。

三视图的识读与绘制 三视图中,主视图反映了物体左、右之间的长度及上、下之间的高度;俯视图反映了物体左、右之间的长度及前、后之间的宽度;左视图反映了物体上、下之间的高度及前、后之间的宽度.

将HiperPFS-5 IC与我们新推出的HiperLCS™2芯片组或InnoSwitch™4-CZ有源钳位反激IC搭配使用,设计工程师可以轻松超越最严格的效率标准，同时将物料清单缩减一半，设计出精致小巧的超快速充电器。

QR模式的DCM控制可减低开关损耗并允许使用低成本的升压二极管。相较于传统的临界导通模式(CRM)升压PFC电路，变频引擎可将升压电感尺寸减小50%以上。

凭借低开关损耗和导通损耗（PowiGaN开关进一步增强了这一优势）以及无损耗电流检测，HiperPFS-5 IC可在整个负载范围内提供恒定的高效率，效率高达98.3%。