ST瞄准3G手机发布256Mb NOR型闪存
发布时间:2007/9/4 0:00:00 访问次数:293
意法半导体(ST)公司日前发布了256Mb的NOR型闪存芯片。该器件采用每单元(cell) 2位架构，能在更小的裸片中提高内存密度。ST的M30L0R8000x0是每单元2位系列的首款产品，目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片。
这款256Mbit的闪存是专为执行高效能程序代码与数据存储而设计，特别是新一代3G手机市场，这类产品日趋复杂的应用和多功能特性，都要求在更小的尺寸中集成更多内存。而每单元2位架构则能使内存芯片阵列的容量加倍，从而大幅减少裸片与封装尺寸。M30L0R8000x0采用ST先进的0.13微米工艺技术，并使用精巧的芯片TFBGA88封装，尺寸仅8×10mm，间距0.8mm。该组件可操作在1.8V供给电源下，并适用于3V I/O，其低功耗特性非常适合新一代手机的设计。
M30L0R8000T0/B0现已量产，单价10美元(仅供参考)。
（转自 电子工程专辑）
意法半导体(ST)公司日前发布了256Mb的NOR型闪存芯片。该器件采用每单元(cell) 2位架构，能在更小的裸片中提高内存密度。ST的M30L0R8000x0是每单元2位系列的首款产品，目前ST也正在研发128Mbit与512Mbit的芯片。
这款256Mbit的闪存是专为执行高效能程序代码与数据存储而设计，特别是新一代3G手机市场，这类产品日趋复杂的应用和多功能特性，都要求在更小的尺寸中集成更多内存。而每单元2位架构则能使内存芯片阵列的容量加倍，从而大幅减少裸片与封装尺寸。M30L0R8000x0采用ST先进的0.13微米工艺技术，并使用精巧的芯片TFBGA88封装，尺寸仅8×10mm，间距0.8mm。该组件可操作在1.8V供给电源下，并适用于3V I/O，其低功耗特性非常适合新一代手机的设计。
M30L0R8000T0/B0现已量产，单价10美元(仅供参考)。
（转自 电子工程专辑）
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