0.55数值孔径的EUV光刻机AlN和梯度AlGaN缓冲层技术

发布时间:2022/1/23 18:09:05 访问次数:197

由于EUV光刻系统中使用的极紫外光波长（13nm）相比DUV 浸入式光刻系统（193 nm）有着显着降低，多图案 DUV 步骤可以用单次曝光 EUV 步骤代替。可以帮助芯片制造商继续向7nm及以下更先进制程工艺推进的同时，进一步提升效率和降低曝光成本。

自2017年ASML的第一台量产的EUV光刻机正式推出以来,三星的7nm/5nm工艺,台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产。

3/2nm工艺的实现则需要依赖于ASML新一代的高数值孔径 (High-NA) EUV光刻机EXE:5000系列。

灯具镇流器应用产品量身定做的一个新的微控制器系列。这些设备是根据灯具镇流器市场主要经营者的需要设计的。他们将主要适用于不同类型的镇流器应用产品，其中包括拥有一个或者多个荧光管的产品、带有 DALI 控制的系统和 HID 照明设备（例如背投显示系统或车辆的头灯）。

一旦采用 Atmel 的微控制器，荧光和 HID 灯具镇流器应用产品就会显现出相对于当前可用的解决方案来说更好的性能、灵活性和成本优势。

Atmel 的 AT90PWMx AVR(R) 微控制器支持调光式荧光和 HID 镇流器产品。

在SiC衬底上采用AlN和梯度AlGaN缓冲层技术,进行GaN基蓝光LED全结构生长,获得高效的蓝光外延片。

进一步，采用蓝光芯片加YAG荧光粉制备了白光LED芯片，其测试结果显示基于SiC衬底得到的白光LED光效达131lm/W，处于国内领先水平。

整流器具有1.27-mm间距1.9-mm的高度，能够采用波峰焊安装在密集的电信板卡的边缘。同时没有电线接头会降低电感。

小型电子产品包括:手机/智能手机,MP3音乐播放器,医疗测试设备,条形码扫描器,PDA和笔记本电脑。

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