双层晶体管像素堆叠式CMOS图像传感器技术,饱和信号量约提升至2倍，使动态范围扩大并降低噪点。

传统 CMOS 图像传感器的光电二极管和像素晶体管分布在同一基片，而索尼的新技术将光电二极管和像素晶体管分离在不同的基片层。

与传统图像传感器相比，这一全新的结构使饱和信号量约提升至原来的 2 倍，扩大了动态范围并降低噪点，从而显著提高成像性能。采用新技术的像素结构，无论是在当前还是更小的像素尺寸下，都能保持或是提升像素现有的特性。

750V PowiGaN处级开关的离线CV/VV 零开关电压(ZVS)反激开关器,能极大改善反激功率转换器的效率,特别是那些需要紧凑外形尺寸的应用.

InnoSwitch4-CZ系列在单个IC上集成了初级和次级控制器以及安全级反馈.

稳态开关频率高达140kHz以最大限度降低变压器尺寸.器件还具有同步整流驱动器和次级边检测,独立于外接元件的卓越的CV/CC精度.器件集成了FluxLinkTM,HIPOT隔离和反馈链,采用外接检测电阻可调整输出电流的检测.

该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置电源，例如，充电器、PC机外部电源适配器、LED 照明驱动器、电视机等家电。

消费电子产品内置电源的全球产量很大，如果提高能效，可大幅减少二氧化碳排放。在功率更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源、工业驱动电机、太阳能逆变器、电动汽车及其充电设施。

(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）