电流传感器芯片的两款最新开发套件。这两款开发套件可为工程师呈现产品设计中不同芯片功能的实际预览，同时优化研发设计与资源分配。

开发套件使工程师可以研究 Melexis 电流传感器芯片的功能，从而缩短客户开发时间，加速项目完成。

其中一款开发套件可以对采用 IMC-Hall® 技术（带或不带屏蔽罩）的芯片进行测试；另一款可以对采用基于磁芯的传统霍尔技术的芯片进行测试。借助这两款开发套件，工程师能够验证具有不同传感器功能的硬件，轻松应对不同的电流感应范围。

高度集成的InnoSwitch™3-TN系列恒压/恒流离线反激式开关IC。InnoSwitch3-TN IC采用符合安规标准的薄型MinSOP™-16A封装，并且内部集成725V初级MOSFET、初次级间隔离的反馈机制、同步整流和次级侧控制，可简化电源设计，非常适合高达21W的家电和工业辅助电源应用。

InnoSwitch3-TN器件支持智能连接电器所需的高输出电流应用，效率高达90%。

先进的InnoSwitch3-TN反激式控制器可在整个负载范围内提供恒定的效率，并且空载功耗低于5mW。FluxLink™通信技术提供的灵活性意味着可以轻松实现正负输出。

在芯片可靠性方面，AW9364的ESD能力达到了HBM±8KV，抗闩锁效应(Latch-Up)达到了±450mA。AW9364同时提供业界最小的DFN2x2-8L封装，和QFN3x3-16L封装相比，节省PCB面积55%以上。

600 V SUPERFETò VMOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。

600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。

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