硬件加速需求对于存储器的带宽提出了越来越高的要求，传统的DDR4带宽显然已经无法满足要求，Achronix看重了GDDR6在数据存储中的带宽优势，创新地将GDDR6引入到了FPGA，彻底解决了传统FPGA存储带宽不够的瓶颈。

DDR5 SDRAM的标准（JESD79-5），内存的频率相对DDR4的标准频率有了大幅的提升，总传输带宽也提升了38%，但是还是和GDDR6的带宽有一定的差距,GDDR6和DDR4/5的带宽对比。

实现同一个大带宽存储的应用，在提供相同的存储器带宽的情况下，无论在设计复杂度，PCB占用面积，还是在功耗方面，与DDR4相比，GDDR6的性能都有很大的提高。

650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件，重复反向峰值电压为650V(VRRM)，持续正向电流为10A(IF)，旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。

以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装，使该系列二极管可用于表面贴装（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。

该芯片高音清脆、低音有力、人声清晰、能明显提升3.7V单节锂电供电音箱产品的音质体验。       

数据速率达到了16Gbps，带宽几乎是GDDR5X的两倍，同时采用了双通道设计，访问粒度和GDDR5一样是32Byte。

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