电子设备当中多存储10到100倍的数据最高刷新率85HZ
发布时间:2021/11/29 13:01:51 访问次数:819
最薄的半导体衬底,三星电机此次制作的芯片厚度为0.08毫米,比普通的纸还要薄。该公司称,该技术可以制作20层闪存和SRAM芯片。
新衬底所制成的电路之间的间隔可达20微米。新的衬底产品是由铜质材料经特殊工艺制作而成。该产品问世前,最薄的衬底厚度为0.1毫米,同样是三星电机于2005年制成的。半导体衬底是用于集成电路制作的支撑材料。
ASMT-FJ10芯片采用铝铟镓磷化物(AlInGaP)材料技术,在高达50mA的驱动电流范围内提供非常高的发光率。这款模具封装技术与无铅红外线回流焊接工艺兼容。

CPU:采用SAMSUNG S3C2410 ARM920t CPU, 集成有串口,SD卡控制器,USB Host 和USB device控制器,LCD控制器, Nand Flash控制器等
SM501 2D加速显卡:实现2D加速功能,显著提升显示效果,最高分辨率1024X768X32, 最高刷新率85HZ。两个VGA、一个TFT输出接口。
通用电视红外遥控解码,采用红外光敏三极管来接收红外信号,并用S3C2410的通用IO来控制。
电源失效信号输入接口,提供电源失效处理功能,如电压过低。
更小的电子设备,消费电子厂商正在不断提高内存芯片或者硬盘上容纳数据存储的能力。
这种趋势使得大型主机缩小为台式机,然后再缩小为笔记本电脑,以至于成为我们的衣服口袋中的设备,假如IBM实验室科学家Stuart S. P. Parkin创意获得资助,那么,在现有同样面积的电子设备当中有可能会多存储10到100倍的数据。
这意味着,目前最多能够存储200个小时视频节目的iPod播放器可以存储进120个电视频道一周的节目内容。

最薄的半导体衬底,三星电机此次制作的芯片厚度为0.08毫米,比普通的纸还要薄。该公司称,该技术可以制作20层闪存和SRAM芯片。
新衬底所制成的电路之间的间隔可达20微米。新的衬底产品是由铜质材料经特殊工艺制作而成。该产品问世前,最薄的衬底厚度为0.1毫米,同样是三星电机于2005年制成的。半导体衬底是用于集成电路制作的支撑材料。
ASMT-FJ10芯片采用铝铟镓磷化物(AlInGaP)材料技术,在高达50mA的驱动电流范围内提供非常高的发光率。这款模具封装技术与无铅红外线回流焊接工艺兼容。

CPU:采用SAMSUNG S3C2410 ARM920t CPU, 集成有串口,SD卡控制器,USB Host 和USB device控制器,LCD控制器, Nand Flash控制器等
SM501 2D加速显卡:实现2D加速功能,显著提升显示效果,最高分辨率1024X768X32, 最高刷新率85HZ。两个VGA、一个TFT输出接口。
通用电视红外遥控解码,采用红外光敏三极管来接收红外信号,并用S3C2410的通用IO来控制。
电源失效信号输入接口,提供电源失效处理功能,如电压过低。
更小的电子设备,消费电子厂商正在不断提高内存芯片或者硬盘上容纳数据存储的能力。
这种趋势使得大型主机缩小为台式机,然后再缩小为笔记本电脑,以至于成为我们的衣服口袋中的设备,假如IBM实验室科学家Stuart S. P. Parkin创意获得资助,那么,在现有同样面积的电子设备当中有可能会多存储10到100倍的数据。
这意味着,目前最多能够存储200个小时视频节目的iPod播放器可以存储进120个电视频道一周的节目内容。
