IR推出针对高效率高性能放大器的D类音频DirectFET™ MOSFET（图）
发布时间:2007/9/4 0:00:00 访问次数:387
功率管理领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（THD）、功率密度等性能。D类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。
在针对应用专门优化的硅片上，IR的DirectFET™封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8欧阻抗上运行100W功率。散热器的免除减少了电路面积和体积，设计布局更灵活，放大器成本也更低。
决定D类音频性能的重要MOSFET参数包括器件导通电阻RDS(on)和栅电荷Qg，这两者决定放大器效率。
IR中国及香港销售总监严国富表示：“IR在同步整流和功率MOSFET开关电路上的专业技术适用于D类音频拓扑。综合了IR独特的DirectFET封装和特殊应用器件参数后， D类音频性能封套将具备更高效率，更完善的EMI和更佳功率密度。”
IRF6665 D类音频DirectFET™ MOSFET 现已供货。
（文章来源：中国半导体行业网）
功率管理领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（THD）、功率密度等性能。D类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。
在针对应用专门优化的硅片上，IR的DirectFET™封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能，进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升，无需散热器即可在8欧阻抗上运行100W功率。散热器的免除减少了电路面积和体积，设计布局更灵活，放大器成本也更低。
决定D类音频性能的重要MOSFET参数包括器件导通电阻RDS(on)和栅电荷Qg，这两者决定放大器效率。
IR中国及香港销售总监严国富表示：“IR在同步整流和功率MOSFET开关电路上的专业技术适用于D类音频拓扑。综合了IR独特的DirectFET封装和特殊应用器件参数后， D类音频性能封套将具备更高效率，更完善的EMI和更佳功率密度。”
IRF6665 D类音频DirectFET™ MOSFET 现已供货。
（文章来源：中国半导体行业网）
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