用于3D图像的256Mb的图像双倍数据速率(GDDR2) SDRAM K4N55323AF,该存储器能使12MB超高容量图像存储器成为可能,支持3D图像软件扩展市场.

这种新器件已经提供给主要的图像卡制造商,采用JEDEC标准的144针FBGA封装,配置为8Mx32,工作电压为2.5V/1.8V,速度有800,700,600,550和500ns几种.该256Mb GDDR2 SDRAM也支持GDDR3.

K4N55323AF采用新技术诸如芯片终止(ODT- On-Die-Termination),片外驱动器校准(OCD),和图像DDR SDRAM相比,把CAS性能提升50%.每秒引脚1.6Gb的数据速率提供集总带宽6.4Gbps.

制造商:Texas Instruments产品种类:RS-232接口集成电路RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSSOP-16系列:TRS3232E-Q1功能:Transceiver数据速率:250 kb/s激励器数量:2 Driver接收机数量:2 Receiver双工:Full Duplex电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:3 V工作电源电流:1 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments工作电源电压:3.3 V, 5 V产品:RS-232 Transceivers产品类型:RS-232 Interface IC传播延迟时间:300 ns工厂包装数量:2000子类别:Interface ICs单位重量:62 mg

此外,高速存取闪存的需要还因为可以玩游戏和动画.同时,液晶电视和机顶盒也需要大容量的存储器如128Mb,用来存储软件或TV节目清单,以及用在地面全数字广播部分的修正图像处理,这是在北美,日本和欧洲新出现的事业.

只要减少磊晶层造成的通态电阻，就能有效降低总通态电阻值；而碳化硅功率晶体根据不同耐压等级,通道电阻（Channel resistance， Rch）占总通态电阻的比值也有所不同。

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