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NexperiaTrEOS的主动可控硅整流技术的技术和抗反射的

发布时间:2021/11/1 21:32:41 访问次数:395

两款PESD5V0R1BxSF器件,即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。

该器件采用NexperiaTrEOS的主动可控硅整流技术的技术,可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM(高达2 x 20 Gbps)数据线拥有最佳信号完整性。

因为USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限,所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,希望为设计工程师提供支持。

通过提供这两种器件选型,工程师可以在ESD电压钳位(保护级别)和RF性能之间找到平衡。

制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VFBGA-200数据总线宽度:32 bit组织:2 G x 32存储容量:64 Gbit最大时钟频率:2133 MHz电源电压-最大:1.1 V最小工作温度:- 25 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Tray商标:Micron产品类型:DRAM1360子类别:Memory & Data Storage

Digital Ink有许多优点:传感器的厚度范围很宽,从0.36mm到50.8mm;传感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的.

材料的光传输率在550nm波长时高达95%;具有抗细菌的性能(独立测试表明抗E大肠杆菌和葡萄球菌);钢笔书写速度可达1016mm/秒以及抗静电和使用寿命10年等.

该产品很适合用在小型手提单颗电池的音频应用和消费类电子产品如个人CD和迷你型CD盘播放器,电子玩具以及游戏.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

两款PESD5V0R1BxSF器件,即具有极低钳位和电容的双向静电放电(ESD)保护二极管。

该器件采用NexperiaTrEOS的主动可控硅整流技术的技术,可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM(高达2 x 20 Gbps)数据线拥有最佳信号完整性。

因为USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限,所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,希望为设计工程师提供支持。

通过提供这两种器件选型,工程师可以在ESD电压钳位(保护级别)和RF性能之间找到平衡。

制造商:Micron Technology产品种类:动态随机存取存储器RoHS: 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:VFBGA-200数据总线宽度:32 bit组织:2 G x 32存储容量:64 Gbit最大时钟频率:2133 MHz电源电压-最大:1.1 V最小工作温度:- 25 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Tray商标:Micron产品类型:DRAM1360子类别:Memory & Data Storage

Digital Ink有许多优点:传感器的厚度范围很宽,从0.36mm到50.8mm;传感器的材料可以是玻璃或塑料,其上面的膜可以是磨光的,抗炫眼的和抗反射的.

材料的光传输率在550nm波长时高达95%;具有抗细菌的性能(独立测试表明抗E大肠杆菌和葡萄球菌);钢笔书写速度可达1016mm/秒以及抗静电和使用寿命10年等.

该产品很适合用在小型手提单颗电池的音频应用和消费类电子产品如个人CD和迷你型CD盘播放器,电子玩具以及游戏.

(素材来源:ttic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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