EPC9162预设作为升压转换器，其输入电压为12 V、输出为60 V/50 W。

但是，该板也可以作为降压转换器，其输入电压为48 V、输出为12 V/60 W。eGaN FET的快速开关显着降低了开关损耗，从而实现更高的工作效率。为了让电源供电设计人员能够轻松复制此设计，EPC网站上提供该电路板的所有相关设计资源，包括原理图、材料清单和 Gerber文档。

尽管eGaN FET的尺寸很小，但从12 V转到60 V/0.85 A的峰值效率为95.3%，轻负载效率为86%，温升仅为40°C。

制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:50 VId-连续漏极电流:300 mARds On-漏源导通电阻:2 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:1 VQg-栅极电荷:-最小工作温度:- 65 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:350 mW通道模式:Enhancement封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Diodes Incorporated配置:Single正向跨导 - 最小值:200 mS高度:1 mm长度:2.9 mm产品:MOSFET Small Signal产品类型:MOSFET系列:3000子类别:MOSFETs晶体管类型:1 N-Channel宽度:1.3 mm单位重量:8 mg

DMA 控制器有4个独立通道,支持8,16和32位外设宽度,允许使用不同宽度/速度的存储器和外设,可用软件和硬件进行初始化,32位寻址,地址能自动增加/减少.

其它的片上外设还有2个UART,完全和NS16550+IIC(内集成电路)串行总线接口,GPIO接口和32个输入的通用中断控制器.

低功耗蓝牙5.3 MCU与其配套的模拟、电源和时钟器件相结合，计划推出多款“成功产品组合”。“成功产品组合”构建易于使用的架构，以简化设计流程，为客户显著降低各种应用的设计风险。

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