TPS54x73加电在起动时核电压等于I/O电压减去二极管压降
发布时间:2021/10/22 23:23:45 访问次数:346
当处理器的核电压和I/O电压在电源起动时在一定的电压差内需要互相跟踪时，TPS54x73能可靠地加电。在起动时核电压等于I/O电压减去二极管压降。
新元件的其它特性包括预提取4位，差分锁存和可变数据输出阻抗调整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工艺制造。
由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端笔记本电脑和膝上型电脑。
1GB SO-DIMM采用8个1Gb元件，它用Infinoen的两个512Mb芯片封装一个封装内。
制造商:Diodes Incorporated产品种类:开关稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOT-26-6拓扑结构:Buck输出电压:800 mV to 31 V输出电流:3 A输出端数量:1 Output最大输入电压:32 V最小输入电压:3.8 V静态电流:22 uA开关频率:500 kHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Diodes Incorporated湿度敏感性:Yes产品类型:Switching Voltage Regulators关闭:Shutdown3000子类别:PMIC - Power Management ICs类型:Synchronous单位重量:8 mg
200引脚的连接器，工作在5V，有两个128MbX64组。PC2100模块的工程样品价格为$900。和1G模块兼容的PC2700模块计划在2003年第二季度提供。
512Mb元件也扩展到移动存储器系列，它包括128Mb和256Mb两种。
它的占位面积和待机功耗都比通常的DRAM产品小50%，移动RAM很适合用在手持电子产品如PDA，智能手机，数码相机和网络便笺簿。移动RAM工作在2.5V而不是通常SDRAM的3.3V，由于它的功率管理技术，其功耗进一步降低。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
当处理器的核电压和I/O电压在电源起动时在一定的电压差内需要互相跟踪时，TPS54x73能可靠地加电。在起动时核电压等于I/O电压减去二极管压降。
新元件的其它特性包括预提取4位，差分锁存和可变数据输出阻抗调整。它是采用Infineon公司的下一代110nm DRAM工艺制造。
由此制造1GB DDR SO-DIMM PC2100可用在高端笔记本电脑和膝上型电脑。
1GB SO-DIMM采用8个1Gb元件，它用Infinoen的两个512Mb芯片封装一个封装内。
制造商:Diodes Incorporated产品种类:开关稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TSOT-26-6拓扑结构:Buck输出电压:800 mV to 31 V输出电流:3 A输出端数量:1 Output最大输入电压:32 V最小输入电压:3.8 V静态电流:22 uA开关频率:500 kHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Diodes Incorporated湿度敏感性:Yes产品类型:Switching Voltage Regulators关闭:Shutdown3000子类别:PMIC - Power Management ICs类型:Synchronous单位重量:8 mg
200引脚的连接器，工作在5V，有两个128MbX64组。PC2100模块的工程样品价格为$900。和1G模块兼容的PC2700模块计划在2003年第二季度提供。
512Mb元件也扩展到移动存储器系列，它包括128Mb和256Mb两种。
它的占位面积和待机功耗都比通常的DRAM产品小50%，移动RAM很适合用在手持电子产品如PDA，智能手机，数码相机和网络便笺簿。移动RAM工作在2.5V而不是通常SDRAM的3.3V，由于它的功率管理技术，其功耗进一步降低。
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