高速度U-MOS III和铝丝键合改善导通电阻和栅极电荷
发布时间:2021/10/29 21:15:05 访问次数:129
Renesas ElectronicsFemtoClock2高性能时钟频率合成器。该系列合成器可提供64fs RMS的超低抖动性能,可安装在需要多个100fs以下抖动性能参考时钟的开关、ASIC、FPGA或PHY附近。
此外,这些高性能器件还可用作OTU3/OTU4映射所需的可调OTN参考时钟,也可用作可编程光纤模块的参考时钟。
Renesas FemtoClock2合成器系列包含RC22504A合成器以及RC32504A抖动衰减器与合成器。这些器件还可以作为DCO来使用,用于频率裕量调节或OTN时钟应用。
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态在售 核心处理器MSP430 内核规格16 位 速度16MHz 连接能力I2C,IrDA,LINbus,SCI,SPI,UART/USART 外设欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O 数16 程序存储容量16KB(16K x 8) 程序存储器类型闪存 EEPROM 容量- RAM 大小512 x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.8V ~ 3.6V 数据转换器A/D 8x10b 振荡器类型内部 工作温度-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型表面贴装型 封装/外壳20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装20-TSSOP
功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A),它采用超高速度U-MOS III和铝丝键合,以改善导通电阻和栅极电荷。
采用超声键合方法来代替焊接,器件的RDS(on)降低了34%,QSW降低了14%。
为了和新P4配合,推出的芯片组在高达2GB容量时提供DDR333/266存储器,支持533MHz系统总线。852GME芯片组具有用于3D图像的Intel超级图形2技术,提供生动的清晰图像的3D图像。0.5mm厚的子显示器是超级扭曲向列(STN)彩色LCD,用来显示系统信息和用作照相机的寻景器。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
Renesas ElectronicsFemtoClock2高性能时钟频率合成器。该系列合成器可提供64fs RMS的超低抖动性能,可安装在需要多个100fs以下抖动性能参考时钟的开关、ASIC、FPGA或PHY附近。
此外,这些高性能器件还可用作OTU3/OTU4映射所需的可调OTN参考时钟,也可用作可编程光纤模块的参考时钟。
Renesas FemtoClock2合成器系列包含RC22504A合成器以及RC32504A抖动衰减器与合成器。这些器件还可以作为DCO来使用,用于频率裕量调节或OTN时钟应用。
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零件状态在售 核心处理器MSP430 内核规格16 位 速度16MHz 连接能力I2C,IrDA,LINbus,SCI,SPI,UART/USART 外设欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O 数16 程序存储容量16KB(16K x 8) 程序存储器类型闪存 EEPROM 容量- RAM 大小512 x 8 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)1.8V ~ 3.6V 数据转换器A/D 8x10b 振荡器类型内部 工作温度-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型表面贴装型 封装/外壳20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商器件封装20-TSSOP
功率效率的MOSFET TPC8017-H (15-A)和TPC8018-H (18-A),它采用超高速度U-MOS III和铝丝键合,以改善导通电阻和栅极电荷。
采用超声键合方法来代替焊接,器件的RDS(on)降低了34%,QSW降低了14%。
为了和新P4配合,推出的芯片组在高达2GB容量时提供DDR333/266存储器,支持533MHz系统总线。852GME芯片组具有用于3D图像的Intel超级图形2技术,提供生动的清晰图像的3D图像。0.5mm厚的子显示器是超级扭曲向列(STN)彩色LCD,用来显示系统信息和用作照相机的寻景器。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)