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晶体管和电容(1T1C)单元结构2.67mmx2.45mm小型不透明表面贴

发布时间:2021/10/21 23:49:48 访问次数:441


铁电随机存储器(FeRAM),它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存储器,很适合用在下一代移动设备和SoC应用。

推出的4Mb和8Mb密度,采用先进的0.25微米工艺制造,FeRAM工作在3.0V电压,数据存取速度为70ns,能进行1000亿次读/写操作。

和现有的两个晶体管和两个电容的结构不同,新推出的FeRAM采用一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构,以得到百万级的密度,工作电压可低于1.0V,超出传统的FeRAM的限制。

制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 产品:Virtex-6 系列: 逻辑元件数量:199680 LE 输入/输出端数量:400 I/O 工作电源电压:1 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 100 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-784 商标:Xilinx 数据速率:6.6 Gb/s 分布式RAM:3040 kbit 内嵌式块RAM - EBR:12384 kbit 最大工作频率:1600 MHz 湿度敏感性:Yes 逻辑数组块数量——LAB:15600 LAB 收发器数量:20 Transceiver 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 1 子类别:Programmable Logic ICs


通过AEC-Q100认证的新款环境光传感器---VEML6031X00,适用于感光透镜很暗,灵敏度要求非常高的汽车和消费电子应用。

Vishay Semiconductors VEML6031X00将高灵敏度光电二极管、低噪声放大器、16 位 ADC 和红外(IR)通道集成在2.67 mm x 2.45 mm小型不透明表面贴封装中,高度仅为0.6 mm。

另外还有欠压、过压和短路保护,以及热关断等功能。仅 10mA 的低静态电流有助于进一步节省电池电量。PAM8965采用 40 接脚 W-QFN 封装格式。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


铁电随机存储器(FeRAM),它是非易失性的低功耗高密度和高速度的存储器,很适合用在下一代移动设备和SoC应用。

推出的4Mb和8Mb密度,采用先进的0.25微米工艺制造,FeRAM工作在3.0V电压,数据存取速度为70ns,能进行1000亿次读/写操作。

和现有的两个晶体管和两个电容的结构不同,新推出的FeRAM采用一个晶体管和一个电容(1T1C)单元结构,以得到百万级的密度,工作电压可低于1.0V,超出传统的FeRAM的限制。

制造商:Xilinx 产品种类:FPGA - 现场可编程门阵列 产品:Virtex-6 系列: 逻辑元件数量:199680 LE 输入/输出端数量:400 I/O 工作电源电压:1 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 100 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-784 商标:Xilinx 数据速率:6.6 Gb/s 分布式RAM:3040 kbit 内嵌式块RAM - EBR:12384 kbit 最大工作频率:1600 MHz 湿度敏感性:Yes 逻辑数组块数量——LAB:15600 LAB 收发器数量:20 Transceiver 产品类型:FPGA - Field Programmable Gate Array 1 子类别:Programmable Logic ICs


通过AEC-Q100认证的新款环境光传感器---VEML6031X00,适用于感光透镜很暗,灵敏度要求非常高的汽车和消费电子应用。

Vishay Semiconductors VEML6031X00将高灵敏度光电二极管、低噪声放大器、16 位 ADC 和红外(IR)通道集成在2.67 mm x 2.45 mm小型不透明表面贴封装中,高度仅为0.6 mm。

另外还有欠压、过压和短路保护,以及热关断等功能。仅 10mA 的低静态电流有助于进一步节省电池电量。PAM8965采用 40 接脚 W-QFN 封装格式。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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