SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统
发布时间:2021/10/23 22:39:52 访问次数:98
新型光电晶体管红外发送开关QVE00033，它有微型红外边缝。
QVE00033发送开关体积小，表面安装封装，其性能使它很适合用在盘驱动器，卡检测器，鼠标和跟踪球，马达和运动控制器中的非接触性开关。此外，光学非接触性开关技术，使得QVE00033和接触性开关相比，更加可靠，更便宜和能源上更有效率。
QVE00033封装在抗温度的黑塑料中，占位面积为7.50x4.05mm，高度为5.40mm。GaAs发光二极管面对着硅光电晶体管，2mmx0.4mm缝隙。
SiC 功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统、驱动和控制电路的设计，节省空间，并增强稳健性和可靠性。
目标应用包括电动汽车充电系统、开关式电源、高压功率因数校正器 (PFC)、DC/DC 变换器、不间断电源 (UPS)、太阳能发电、电机驱动设备、风扇、工厂自动化、家用电器 、电磁炉。
STGAP2SiCSN 在栅极驱动通道和低压控制之间有电流隔离，在高压轨上可以耐受高达 1700V 的电压。输入到输出传播时间小于 75ns，确保 PWM 控制精度高。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
新型光电晶体管红外发送开关QVE00033，它有微型红外边缝。
QVE00033发送开关体积小，表面安装封装，其性能使它很适合用在盘驱动器，卡检测器，鼠标和跟踪球，马达和运动控制器中的非接触性开关。此外，光学非接触性开关技术，使得QVE00033和接触性开关相比，更加可靠，更便宜和能源上更有效率。
QVE00033封装在抗温度的黑塑料中，占位面积为7.50x4.05mm，高度为5.40mm。GaAs发光二极管面对着硅光电晶体管，2mmx0.4mm缝隙。
SiC 功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统、驱动和控制电路的设计，节省空间，并增强稳健性和可靠性。
目标应用包括电动汽车充电系统、开关式电源、高压功率因数校正器 (PFC)、DC/DC 变换器、不间断电源 (UPS)、太阳能发电、电机驱动设备、风扇、工厂自动化、家用电器 、电磁炉。
STGAP2SiCSN 在栅极驱动通道和低压控制之间有电流隔离，在高压轨上可以耐受高达 1700V 的电压。输入到输出传播时间小于 75ns，确保 PWM 控制精度高。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
- 5-6集成 MPPT 算法 DC-DC 芯片产品应用概述
- 5-6PMU 芯片、AI 电源管理芯片优特点及用途分析
- 5-6单芯片高像素CIS架构3,200 万像素图像传感器
- 5-6UFS主控芯片WM7000系列应用详情
- 5-6模拟芯片与互联芯片市场布局走势及应用前景探究
- 5-6存储芯片市场布局驱动芯片与智能卡芯片产品发展趋势分析
公网安备44030402000607
