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125μA的总线泄露电流与其他线性3D霍尔效应位置传感器

发布时间:2021/10/19 12:49:37 访问次数:108

智能工厂拥有越来越多的高度自动化系统,这些系统必须在更加集成的制造流程中运行,同时同步收集数据以控制流程,具有更高精度、速度和能效的3D位置感应技术对于自动化设备至关重要,该技术可以快速实现精确的实时控制以提高系统效率和性能,同时减少停机时间。

TMAG5170提供多种操作模式,与其他线性3D霍尔效应位置传感器相比,在保持系统性能的同时,功耗至少可降低70%。利用这些可配置的模式,工程师能够在1 SPS至20 kSPS采样范围内为电池供电器件或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。

制造商:Infineon产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:Half-Bridge安装风格:SMD/SMT激励器数量:1 Driver输出端数量:1 Output输出电流:2.5 A电源电压-最小:3.5 V电源电压-最大:7 V配置:High Side, Low Side上升时间:60 ns下降时间:60 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:Gate Drivers工厂包装数量:5000子类别:PMIC - Power Management ICs零件号别名:TLF11251LD SP001688206

RAA78815x产品家族的关键特性

±5000V的EFT抗扰度

±16000V的ESD抗扰度

在Rd=54Ω负载中,具有3.1V电压(典型值)

低至125μA的总线泄露电流、550μA的电源泄露电流,和70nA的关断电流

超小型3mmx5mmMSOP及6mmx8.6mmSOIC封装

支持多种数据速率,以及全双工(RAA788150、RAA788153和RAA788156)和半双工(RAA788152、RAA788155和RAA788158)模式.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

智能工厂拥有越来越多的高度自动化系统,这些系统必须在更加集成的制造流程中运行,同时同步收集数据以控制流程,具有更高精度、速度和能效的3D位置感应技术对于自动化设备至关重要,该技术可以快速实现精确的实时控制以提高系统效率和性能,同时减少停机时间。

TMAG5170提供多种操作模式,与其他线性3D霍尔效应位置传感器相比,在保持系统性能的同时,功耗至少可降低70%。利用这些可配置的模式,工程师能够在1 SPS至20 kSPS采样范围内为电池供电器件或关注系统效率的轻负载模式中降低功耗。

制造商:Infineon产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:Half-Bridge安装风格:SMD/SMT激励器数量:1 Driver输出端数量:1 Output输出电流:2.5 A电源电压-最小:3.5 V电源电压-最大:7 V配置:High Side, Low Side上升时间:60 ns下降时间:60 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Infineon Technologies湿度敏感性:Yes产品类型:Gate Drivers工厂包装数量:5000子类别:PMIC - Power Management ICs零件号别名:TLF11251LD SP001688206

RAA78815x产品家族的关键特性

±5000V的EFT抗扰度

±16000V的ESD抗扰度

在Rd=54Ω负载中,具有3.1V电压(典型值)

低至125μA的总线泄露电流、550μA的电源泄露电流,和70nA的关断电流

超小型3mmx5mmMSOP及6mmx8.6mmSOIC封装

支持多种数据速率,以及全双工(RAA788150、RAA788153和RAA788156)和半双工(RAA788152、RAA788155和RAA788158)模式.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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