BCM8422目标应用在中档存储阵列,是4端口光纤通道仲裁回路集线器,能配置成双路双向重新时序/中继器.对于光纤通道交换和存储阵列的高速光或铜连接,BCM8421是单通道双向重新时序/中继器,是要用来解决很难的通道损伤问题.

特别设计具有低等待性能,器件的每个端口具有重新时序或中继功能,支持各种后端仲裁回路.

采用Broadcom的EyeOpener技术,在很难的光纤和铜互连上保证有良好的抖动性能,并超出光纤通道Intra和Inter Cabinet信令标准.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 120 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 160 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 80 ns

典型接通延迟时间: 40 ns

零件号别名: IPB12N6S43XT SP000415558 IPB120N06S403ATMA1

单位重量: 4 g

此外,这些产品采用0.13umCMOS工艺制造,小型BGA封装,降低了存储网络设备的板空间和功率要求.

该系列中的所有型号均在50欧姆负载下运行，并包含一个机械可调谐螺钉，以应对特定应用微调输出频率。

该系列可提供高达+18.5 dBm（典型值）的输出功率水平，并采用磷化铟（InP）耿氏二极管，与GaAs同类产品相比，具有更高的输出功率、效率和更低AM噪声。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）