直接飞行时间 (dToF) 堆叠式 SPAD（单光子雪崩二极管）深度传感器 IMX459，可用于汽车激光雷达，助力高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和自动驾驶 (AD)。

产品将尺寸仅为 10 平方微米的 SPAD (单光子雪崩二极管) 像素和测距处理电路封装在单个芯片上，形成了紧凑的 1/2.9 型外形尺寸，可进行高精度、高速度的距离测量。

FN5100允许使用屏蔽的或无屏幕的交流电源和马达驱动连接电缆，降低马达应力，提供一种高效的抑制电磁干扰的方法。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 36 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 28 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 40 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: IPB9N6N3GXT SP000398042 IPB090N06N3GATMA1

单位重量: 4 g

当RS-232引脚没有信号时自动进入睡眠模式；能从降功耗睡眠模式自动唤醒.

即使在VCC=3.3V时还满足EIA/TIA-232和V.28/V.24指标；最小和最薄的5x5x0.9mmQFN；+/-15KV ESD保护；工作电压2.7-5.5V。

SPAD 是一种像素结构，可利用雪崩倍增技术，将单个入射光子的电子放大，从而形成雪崩式叠加。在用于激光雷达测距的诸多方法之中，SPAD 像素用作 dToF 传感器中的一种探测元素，它根据光源发射的光被物体反射后返回到传感器的飞行时间（时间差），来测量到物体的距离。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）