FN5100适用于几乎所有的工业应用，包括三相AC逆变器和马达。

由于更高的开关频率，有新逆变器的系统升级一般需要屏蔽电缆。FN5100能大大地降低安装时间，因为原来的屏蔽电缆依然存在。滤波器的输出部分也降低了转换速率(dv/dt)和逆变器输出波形的过冲电压，降低马达绕组绝缘应力。因此，增加了马达的可靠性和平均寿命。

Schaffner公司的FN5100无屏蔽滤波器适用于开关频率在10-20KHz和有50或100Hz马达的绝大多数三相逆变器，也适用于满足EN55011规范的工业设备。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 55 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 45 S

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 42 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 31 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

零件号别名: SP000458812 IPB83N1N3GXT IPB083N10N3GATMA1

单位重量: 4 g

传感器通过在 CMOS 图像传感器中创造的背照式像素结构、堆叠结构和 Cu-Cu 连接等技术，成功地构建一种将 SPAD 像素和测距处理电路封装在单个芯片的独特元器件结构。

滤波器能用来处理高达480V的AC电压，可用的电流额定值有七种，从6A到33A

它采用长达600米屏蔽电缆和长达200米无屏蔽电缆。一种极有成本效率解决方案是采用单根长电缆或并行电缆进行跨距离运作。

该滤波器能用一个逆变器来驱动多达六个并联马达，每个采用长度为40米的低成本无屏蔽电缆。

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