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射频设计的开创性高密度表贴技术降低项目风险

发布时间:2021/10/13 23:06:12 访问次数:638

新款中波红外摄像头模组可帮助客户大幅缩短产品上市时间、降低开发风险.

最新推出的Neutrino中波红外摄像头模组将帮助客户大幅缩短产品上市时间,并通过通用型设计以及现货交付来降低项目风险。

Teledyne FLIR还将提供高质量的技术服务团队,为客户的开发和设计全周期提供集成支持和专业知识支持。Neutrino系列中所有的中波红外摄像头模组和解决方案均属于美国商务部司法管辖范围内的EAR 6A003.b.4.a

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    运算放大器 - 运放    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PDIP-14    

每个通道的输出电流:    4 mA    

Vos - 输入偏置电压 :    100 uV    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

Ib - 输入偏流:    20 nA    

CMRR - 共模抑制比:    106 dB    

系列:    OPA4251    

封装:    Tube    

放大器类型:   Low Offset Voltage Amplifier    

高度:   4.57 mm    

输入类型:   Rail-to-Rail    

长度:   19.3 mm    

输出类型:   Rail-to-Rail    

产品:   Operational Amplifiers    

电源类型:   Single, Dual    

宽度:   6.35 mm    

商标:   Texas Instruments    

双重电源电压:   +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V    

In—输入噪声电流密度:   0.04 pA/sqrt Hz    

最大双重电源电压:   +/- 18 V    

最小双重电源电压:   +/- 1.35 V    

工作电源电压:   2.7 V to 36 V, +/- 1.35 V to +/- 18 V    

产品类型:   Op Amps - Operational Amplifiers    

PSRR - 电源抑制比:   110.46 dB    

工厂包装数量:   25    

子类别:   Amplifier ICs    

Vcm - 共模电压:   Negative Rail - 0.2 V to Positive Rail - 0.8 V    

电压增益 dB:   120 dB    

单位重量:  1 g  

由于智能手机、物联网和智慧城市等行业领域的蓬勃发展,预计,未来几年 UWB 市场将增长大约 30%。我们高度可靠的超紧凑 Type 2AB 模块具有卓越的 EMI 性能。

对于希望将基于射频设计的开创性高密度表贴技术用于该市场的产品开发人员来说,这是一个很不错的解决方案。

这款产品将 Murata 在高度集成的 SiP 模块封装方面的优势与 Qorvo 和 Nordic Semiconductor 在 UWB 和蓝牙低功耗解决方案方面的长期合作成果整合在一起。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新款中波红外摄像头模组可帮助客户大幅缩短产品上市时间、降低开发风险.

最新推出的Neutrino中波红外摄像头模组将帮助客户大幅缩短产品上市时间,并通过通用型设计以及现货交付来降低项目风险。

Teledyne FLIR还将提供高质量的技术服务团队,为客户的开发和设计全周期提供集成支持和专业知识支持。Neutrino系列中所有的中波红外摄像头模组和解决方案均属于美国商务部司法管辖范围内的EAR 6A003.b.4.a

制造商:    Texas Instruments    

产品种类:    运算放大器 - 运放    

RoHS:    详细信息    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    PDIP-14    

每个通道的输出电流:    4 mA    

Vos - 输入偏置电压 :    100 uV    

最小工作温度:    - 40 C    

最大工作温度:    + 85 C    

Ib - 输入偏流:    20 nA    

CMRR - 共模抑制比:    106 dB    

系列:    OPA4251    

封装:    Tube    

放大器类型:   Low Offset Voltage Amplifier    

高度:   4.57 mm    

输入类型:   Rail-to-Rail    

长度:   19.3 mm    

输出类型:   Rail-to-Rail    

产品:   Operational Amplifiers    

电源类型:   Single, Dual    

宽度:   6.35 mm    

商标:   Texas Instruments    

双重电源电压:   +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V    

In—输入噪声电流密度:   0.04 pA/sqrt Hz    

最大双重电源电压:   +/- 18 V    

最小双重电源电压:   +/- 1.35 V    

工作电源电压:   2.7 V to 36 V, +/- 1.35 V to +/- 18 V    

产品类型:   Op Amps - Operational Amplifiers    

PSRR - 电源抑制比:   110.46 dB    

工厂包装数量:   25    

子类别:   Amplifier ICs    

Vcm - 共模电压:   Negative Rail - 0.2 V to Positive Rail - 0.8 V    

电压增益 dB:   120 dB    

单位重量:  1 g  

由于智能手机、物联网和智慧城市等行业领域的蓬勃发展,预计,未来几年 UWB 市场将增长大约 30%。我们高度可靠的超紧凑 Type 2AB 模块具有卓越的 EMI 性能。

对于希望将基于射频设计的开创性高密度表贴技术用于该市场的产品开发人员来说,这是一个很不错的解决方案。

这款产品将 Murata 在高度集成的 SiP 模块封装方面的优势与 Qorvo 和 Nordic Semiconductor 在 UWB 和蓝牙低功耗解决方案方面的长期合作成果整合在一起。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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