2ASC-12A2HP栅极驱动器为基于碳化硅MOSFET的电源系统
发布时间:2021/10/9 17:58:43 访问次数:93
一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。
为确保可靠、安全的运行，2ASC-12A2HP栅极驱动器为基于碳化硅MOSFET的电源系统提供了多层级的控制和更高的保护水平。
与传统栅极驱动器相比，AgileSwitch栅极驱动器产品的关键性能包括抑制漏极－源极电压（Vds）过冲的能力，最高可达80%，可将开关损耗降低多达50%。
M58WR064ET和M58WR064EB都有一个非对称的块体系结构。
每个器件都由可以再细分成135个块的4兆位的片构成，每片含有8个32千字的主块，这种片共有15片，另外还有一个含有8个4千字的参数块和7个32千字主块的参数片。
在M58WR064ET 中，参数块位于存储器地址空间的上部，而在M58WR064EB中，参数块位于存储器地址空间的下部。
这两款产品的开发成功,证实意法半导体 (ST)坚持用创新解决方案满足市场对高级应用的需求的承诺。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
一款全新的1200V可直接用于生产的数字栅极驱动器，为系统开发人员提供多层级的控制和保护，以实现安全、可靠的运行并满足严格的运输要求。
为确保可靠、安全的运行，2ASC-12A2HP栅极驱动器为基于碳化硅MOSFET的电源系统提供了多层级的控制和更高的保护水平。
与传统栅极驱动器相比，AgileSwitch栅极驱动器产品的关键性能包括抑制漏极－源极电压（Vds）过冲的能力，最高可达80%，可将开关损耗降低多达50%。
M58WR064ET和M58WR064EB都有一个非对称的块体系结构。
每个器件都由可以再细分成135个块的4兆位的片构成，每片含有8个32千字的主块，这种片共有15片，另外还有一个含有8个4千字的参数块和7个32千字主块的参数片。
在M58WR064ET 中，参数块位于存储器地址空间的上部，而在M58WR064EB中，参数块位于存储器地址空间的下部。
这两款产品的开发成功,证实意法半导体 (ST)坚持用创新解决方案满足市场对高级应用的需求的承诺。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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