最小的CMOS图像传感器照像机模块TCM8230MD.这种新的VGA照相机模块,有双透镜以及集成了CMOS图像传感器和数字信号处理器(DSP)的单片IC.

批量生产计划在2004年5月.该器件十分适用于有照相功能的手机.

生产工艺的先进性和设计优化使东芝能把单个像素的尺寸从5.4um降低到3.75um.这种微型化允许大约33万像素能排列成492(垂危)x660(水平)阵列,光学格式1/6吋.

总的照相机模块提供33万像素图像,比以前的产品更薄更小和更低功耗.

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 58 A

Rds On-漏源导通电阻: 10.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 35 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 29 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 8 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 24 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

零件号别名: IPB123N1N3GXT SP000485968 IPB123N10N3GATMA1

单位重量: 4 g

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）