8个电压控制衰减器(VCA)和8个可编增益放大器(PGA)
发布时间:2021/10/3 23:15:28 访问次数:122
NSM201X系列产品均可提供样品，除了NSM201X系列集成电流路径线性霍尔传感器外, 纳芯微后续还会推出更多车规传感器，包括基于霍尔原理的信号链接芯片产品(与霍尔元件分离）、基于霍尔原理的磁角度传感器、基于霍尔原理的转速传感器等，以满足汽车行业电气化浪潮对霍尔传感器的应用需求
VCA8613集成了8个低噪音预放大器(LNA),8个电压控制衰减器(VCA)和8个可编增益放大器(PGA).
通常,有这些功能和集成度会消耗很多的功耗.但是,VCA8613仅消耗600mW(75mW/通道),使他成为当今市场中能得到的最低功耗解决方案.
制造商:Micro Commercial Components (MCC) 产品种类:整流器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC Vr - 反向电压 :800 V If - 正向电流:1 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :10 uA 恢复时间:75 ns 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:Rectifiers 商标:Micro Commercial Components (MCC) 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:63 mg
新的分子薄膜晶体管(TFT)工作电压低.而传统TFT的最严重问题是它的工作电压高,超过20V.
为了降低有机TFT IC的工作电压和功耗,需要采用超薄的栅绝缘介质.
Infineon开发的新的分子TFT是采用高迁移率的有机半导体(并五苯)和超薄膜(2.5nm)分子自聚合单层(SAM)栅介质.
这种晶体管的工作电压能低到1V,亚阈值摆幅低到100 mV/十.对于沟道长度5um的晶体管,测量到的跨导为0.01us/um,这是到目前为止有机半导体器件最高的跨导.
NSM201X系列产品均可提供样品，除了NSM201X系列集成电流路径线性霍尔传感器外, 纳芯微后续还会推出更多车规传感器，包括基于霍尔原理的信号链接芯片产品(与霍尔元件分离）、基于霍尔原理的磁角度传感器、基于霍尔原理的转速传感器等，以满足汽车行业电气化浪潮对霍尔传感器的应用需求
VCA8613集成了8个低噪音预放大器(LNA),8个电压控制衰减器(VCA)和8个可编增益放大器(PGA).
通常,有这些功能和集成度会消耗很多的功耗.但是,VCA8613仅消耗600mW(75mW/通道),使他成为当今市场中能得到的最低功耗解决方案.
制造商:Micro Commercial Components (MCC) 产品种类:整流器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC Vr - 反向电压 :800 V If - 正向电流:1 A 类型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single 最大浪涌电流:30 A Ir - 反向电流 :10 uA 恢复时间:75 ns 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 产品:Rectifiers 商标:Micro Commercial Components (MCC) 产品类型:Rectifiers 工厂包装数量5000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:63 mg
新的分子薄膜晶体管(TFT)工作电压低.而传统TFT的最严重问题是它的工作电压高,超过20V.
为了降低有机TFT IC的工作电压和功耗,需要采用超薄的栅绝缘介质.
Infineon开发的新的分子TFT是采用高迁移率的有机半导体(并五苯)和超薄膜(2.5nm)分子自聚合单层(SAM)栅介质.
这种晶体管的工作电压能低到1V,亚阈值摆幅低到100 mV/十.对于沟道长度5um的晶体管,测量到的跨导为0.01us/um,这是到目前为止有机半导体器件最高的跨导.
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