瑞萨还为各种传感器重新定义了通用软件应用程序接口(API)和硬件抽象层(HAL)代码，并嵌入至瑞萨e2 studio集成开发环境中。

瑞萨开发的数百款‘成功产品组合’为客户提供了更高阶设计平台，从而降低设计风险并缩短开发时间。

现在，设计人员无需编写和测试数百行驱动程序代码，而仅需以图形方式选择他们的传感器并编写数行代码即可。所有集成与设置工作均在后台进行，缩短了开发时间。

我们专注于解决方案的打造，使客户能够更迅速地将卓越的终端产品推向市场。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 270 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

零件号别名: SP000415562 IPB18N6S4H1XT IPB180N06S4H1ATMA1

单位重量: 1.600 g

杰尔的WaveLAN芯片组拥有两方面的优势组合，即不仅在接收机的灵敏度方面有所提高，而且还提供了高达8 dB 的输出功率。

业界领先的接收机灵敏度与输出功率两方面的完美组合为用户提供了更广泛的传输范围以及更出色的数据吞吐能力。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）