新的无ROM结构加速取样时间和缩短产品支持反压-24V过压28V保护
发布时间:2021/10/2 23:47:32 访问次数:108
88系列的整体安全概念保证存储在EEPROM中的数据和代码能像存储在ROM中那样安全,只有经授权的用户能重新编程智能卡.
和ROM掩模板存储用户代码的安全控制器相比,新的无ROM结构加速取样时间和缩短产品走向市场的时间,从大约六个星期减少到最多的两个星期.
制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:343 ARds On-漏源导通电阻:1.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQg-栅极电荷:108 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:375 W通道模式:Enhancement封装:Tube配置:Single高度:15.65 mm长度:10 mm晶体管类型:1 N-Channel宽度:4.4 mm商标:Infineon / IR正向跨导 - 最小值:286 S下降时间:355 ns产品类型:MOSFET上升时间:827 ns工厂包装数量:100子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:97 ns典型接通延迟时间:65 ns零件号别名:IRLB3034PBF SP001578716单位重量:2 g
高达18V的高压供电，支持反压-24V过压28V保护，可承受3x过载压力和5x爆破压力，具有较高可靠性与稳定性。
小于0.8ms的快速响应时间，可以快速控制空燃比。
10kPa~400kPa内量程可定制，支持多种压力应用场景，灵活性高，也可提供MEMS晶圆定制化产品。
纳芯微NSPAS3同样采用MEMS压阻技术，能够很好的兼容外商产品，无缝实现国产化替代，且响应时间更快，功耗更低，还具有更强的过载与耐爆破压力能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
88系列的整体安全概念保证存储在EEPROM中的数据和代码能像存储在ROM中那样安全,只有经授权的用户能重新编程智能卡.
和ROM掩模板存储用户代码的安全控制器相比,新的无ROM结构加速取样时间和缩短产品走向市场的时间,从大约六个星期减少到最多的两个星期.
制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:343 ARds On-漏源导通电阻:1.4 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2.5 VQg-栅极电荷:108 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:375 W通道模式:Enhancement封装:Tube配置:Single高度:15.65 mm长度:10 mm晶体管类型:1 N-Channel宽度:4.4 mm商标:Infineon / IR正向跨导 - 最小值:286 S下降时间:355 ns产品类型:MOSFET上升时间:827 ns工厂包装数量:100子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:97 ns典型接通延迟时间:65 ns零件号别名:IRLB3034PBF SP001578716单位重量:2 g
高达18V的高压供电，支持反压-24V过压28V保护，可承受3x过载压力和5x爆破压力，具有较高可靠性与稳定性。
小于0.8ms的快速响应时间，可以快速控制空燃比。
10kPa~400kPa内量程可定制，支持多种压力应用场景，灵活性高，也可提供MEMS晶圆定制化产品。
纳芯微NSPAS3同样采用MEMS压阻技术，能够很好的兼容外商产品，无缝实现国产化替代，且响应时间更快，功耗更低，还具有更强的过载与耐爆破压力能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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