UnitedSiC的第四代SiCFET已经接近碳化硅的电压和RDSA的理论限制，并且远超硅基超结和目前SiCMOSFET。

实际上，两年前的电动汽车领域主流SiCFET电压值多为650V，要么上至1200V。目前动力电池电压在300V-400V左右，行业普遍想将动力电池电压提高到500V。

由于碳化硅材料本身具备耐高压、低阻抗的特性，所以UnitedSiC在初步定义第四代产品时便将750V作为目标，750VSiCFET对于动力电池500V的设计目标拥有相当充分的裕量。

产品种类: 缓冲器和线路驱动器

RoHS: 详细信息

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 3 V

工作电源电流: 300 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-16

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: STMicroelectronics

数据速率: 0.4 Mb/s

接口类型: EIA/TIA-232. RS-232. V.24. V.28

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 3 V to 5.5 V

产品类型: Buffers & Line Drivers

系列: ST3232B

工厂包装数量: 2500

子类别: Logic ICs

单位重量: 200.700 mg

异步中断模式时钟是开始400G DR4部署的超大规模数据中心客户的一个基本特性。MaxLinear的400G Telluride DSP (MxL9354x)成功地集成了这一时钟要求。

该设备在传输方向上配有一个全面的数字预失真(DPD)引擎，以补偿激光非线性，并消除会在极高的信号频率上引起反射和带宽退化的打包限制。

在接收路径上，DSP包括一个自适应信号增强引擎，该引擎集成了连续时间线性均衡器(CTLE)、自动增益控制(AGC)、前馈均衡器(FFE)和决策反馈均衡器(DFE)。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）