牵引逆变器应用成熟设计通常为IGBT与二极管的形式达到200kW的设计。通过本次发布的6mΩ器件单管6颗并联方式，在200kW下能够减少3.1倍的整体功率损耗。

当然，实际上电动车在大部分运行中都是轻载到中载之间，6mΩ器件在轻载中损失能够减少5-6倍。

这是因为IGBT本身存在膝点电压，SiCFET则没有这个问题，有负载条件下切换损失较低。

反之对比市面上其他SiCFET牵引逆变器产品，UnitedSiC在给定面积下可提供更低的传导损耗，或在相同损耗下提供更小的芯片面积。

制造商: ISSI

产品种类: 静态随机存取存储器

RoHS: 详细信息

存储容量: 8 Mbit

组织: 512 k x 16

访问时间: 10 ns

接口类型: Parallel

电源电压-最大: 3.6 V

电源电压-最小: 3.135 V

电源电流—最大值: 110 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSOP-44

封装: Tray

商标: ISSI

数据速率: SDR

湿度敏感性: Yes

端口数量: 1

产品类型: SRAM

系列: IS61LV51216

工厂包装数量: 135

子类别: Memory & Data Storage

类型: Asynchronous

动力电池提高到500V，750V SiCFET是关键,碳化硅着重的市场主要是电动汽车的市场。

电机驱动功率等级通常非常大，同时终端用户希望将动力电池电压提高到500V。通过本次750V全新产品的发布，能够简单满足客户设计需求，且拥有一定的设计裕量。

6mΩ、9mΩ、11mΩ产品可以进行不同的并联设计，来针对不同功率等级需求。

这些组件结合了我们工业客户所期望的高引脚数和非常有吸引力的价格，同时也保持了Harwin 众所周知的高水平构建质量。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）