独特封装天线内置探测器的功能帮助降低对射频、天线设计或雷达信号处理技术门槛，使工程师们更容易掌握毫米波雷达技术，该方案具有低功耗和小尺寸高性价比的特点, 已通过FCC预扫。

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IPP80N06S2-07 SP001067876

单位重量: 2 g

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）