交流400V、输出48W以下的辅助电源时，与采用普通产品的配置相比，部件数量显著减少（将散热板和12个部件缩减为1个）。

这不仅可以降低部件故障的风险，还通过SiC MOSFET将功率转换效率提高多达5％。因此，不仅有助于大幅削减工厂的安装成本，还可以提供更加小型、更高可靠性及更节能的解决方案。

与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 49 V

Id-连续漏极电流: 36 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 155 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 36 ns

正向跨导 - 最小值: 30 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 37 ns

系列: BTS282

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 70 ns

典型接通延迟时间: 30 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: BTS282Z E3180A SP000910848

单位重量: 1.600 g

SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。

数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。

R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。

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