大幅削减工厂安装成本实现对混合硬件/仿真实现系统级分析
发布时间:2021/9/26 13:27:42 访问次数:112
交流400V、输出48W以下的辅助电源时，与采用普通产品的配置相比，部件数量显著减少（将散热板和12个部件缩减为1个）。
这不仅可以降低部件故障的风险，还通过SiC MOSFET将功率转换效率提高多达5％。因此，不仅有助于大幅削减工厂的安装成本，还可以提供更加小型、更高可靠性及更节能的解决方案。
与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 49 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 155 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 36 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
系列: BTS282
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: BTS282Z E3180A SP000910848
单位重量: 1.600 g
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
交流400V、输出48W以下的辅助电源时，与采用普通产品的配置相比，部件数量显著减少（将散热板和12个部件缩减为1个）。
这不仅可以降低部件故障的风险，还通过SiC MOSFET将功率转换效率提高多达5％。因此，不仅有助于大幅削减工厂的安装成本，还可以提供更加小型、更高可靠性及更节能的解决方案。
与它们所替代的硅部件相比，SiC功率器件的能效得到了极大的提高，而且成本溢价大幅下降，使得更多的应用能够从这些器件中受益，从而获得更好的系统性能和价值。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 49 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 155 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 36 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 37 ns
系列: BTS282
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: BTS282Z E3180A SP000910848
单位重量: 1.600 g
SiC MOSFET技术支持Midnite Solar最新的电源转换产品设计，我们确实很高兴看到先进的功率器件和系统解决方案为我们的尊贵客户带来积极的改变。
数据采集插件允许在设计过程中访问任意节点信号，可以将信号送至矢量信号发生器并应用于可用硬件，从而实现对混合硬件/仿真实现的系统级分析。R&S VSESIM-VSS 的一项重要特色是支持直接数字预失真 (DPD) 技术，在功率放大器开发的仿真阶段就可以验证线性化效果。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-28石墨烯材料制造具有高灵敏度高响应速度和宽波长范围等优点
- 5-28与领先TLC SSD相比Solidigm新产品带来高达14%的写入寿命提升
- 5-28开关速度和更低的开关损耗能够满足高频率和高效率的应用需求
- 5-28USB-C的完整ESD保护总共需要三种不同类型的TVS二极管
- 5-28ESD保护应用需要具有超低寄生电容和低钳位电压TVS二极管
- 5-28磁耦合RF变压器用于射频电路中满足高频信号传输和转换需求
- 5-28在−40°C至125°C的温度范围内工作具有高水平的辐射耐受性
- 5-28模拟滤波器将继续向着小型化集成化和高性能化的方向发展
- 5-28无线电嵌入式天线和高频振荡器经过认证的解决方案
- 5-28锡膏板在空气中的有效暴露时间随钢网开孔尺寸的减小而缩减
- 5-28构建各种无线通信解决方案为用户提供高性能低功耗体验
- 5-28降低板间距离及信号传输距离对降低信号干扰及损耗有益
公网安备44030402000607
