天线测量以及在高达110 GHz高频下运行的小型设备的射频特征
发布时间:2021/8/3 19:49:03 访问次数:224
SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关，以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能，简化设计人员两种电路的器件选择。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
微型紧凑天线测量系统系列的最新产品CR-M8。该产品特别适用于天线测量以及在高达110 GHz高频下运行的小型设备的射频特征。
在具有同等功能的小尺寸产品中，IC温度接近100℃，因此需要采取散热措施（通过外置散热器和MOSFET来分散热量）.
ROHM新产品的工作效率高达90%（输出电流为3A时），并采用散热性能出色的封装，工作时的发热温度仅为65℃左右，因此客户无需采取散热措施，从而有助于提高应用的可靠性。
与具有同等性能的普通产品（6.0mm×4.0mm×0.8mm）相比，尺寸减少约60%，而且还可以减少外围部件的数量。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
SiSS52DN适用于同步整流、同步降压转换器、DC/DC转换器、开关柜拓扑结构、OR-ring FET低边开关，以及服务器、通信和RF设备电源的负载切换。MOSFET可提高隔离和非隔离拓扑结构的性能，简化设计人员两种电路的器件选择。
器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
微型紧凑天线测量系统系列的最新产品CR-M8。该产品特别适用于天线测量以及在高达110 GHz高频下运行的小型设备的射频特征。
在具有同等功能的小尺寸产品中，IC温度接近100℃，因此需要采取散热措施（通过外置散热器和MOSFET来分散热量）.
ROHM新产品的工作效率高达90%（输出电流为3A时），并采用散热性能出色的封装，工作时的发热温度仅为65℃左右，因此客户无需采取散热措施，从而有助于提高应用的可靠性。
与具有同等性能的普通产品（6.0mm×4.0mm×0.8mm）相比，尺寸减少约60%，而且还可以减少外围部件的数量。
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