用于汽车动力传动系统和安全设备的0402英尺寸（1.0×0.5mm）多层陶瓷电容器中拥有最大静电容量10μF的“GCM155D70E106ME36”，并已开始批量生产。

随着ADAS（高级驾驶辅助系统）和自动驾驶等汽车功能的升级，汽车上的处理器安装数量正在不断增加，而确保这些处理器能够正常运行的多层陶瓷电容器的数量也在随之增加。

为了通过减少安装数量来减少面积并提高可靠性，汽车用多层陶瓷电容器就需要进一步实现小型大容量化，并通过低ESL化提高高频特性。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 21 A

Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 41 nC

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 114 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: CoolMOS

封装: Cut Tape

封装: Reel

系列: CoolMOS CFD7A

商标: Infineon Technologies

下降时间: 4 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 61 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

零件号别名: IPBE65R115CFD7A SP002561838

单位重量: 1.600 g

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）