全新R-Car Gen3e和参考解决方案构建无缝且经济高效迁移路径
发布时间:2021/7/26 13:10:53 访问次数:186
增强现实导航系统和基于AI的数字汽车助手等应用日益普及,整车厂和一级供应商需要在对更大、更高分辨率显示器和高性能芯片飞速增长需求,与不断飙升的BOM成本及更长的开发时间之间取得平衡。
全新R-Car Gen3e和参考解决方案构建了无缝且经济高效的迁移路径,与现有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成,使客户能够更便捷地将其汽车级应用推向市场。
“GYE系列”(125℃ 4000小时保证)、“GYE系列”(150℃ 1000小时保证)等导电性高分子混合铝电解电容器,并且向车载、工业设备和通信领域等要求高可靠性的市场提出了解决方案。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-59-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V 集电极—基极电压 VCBO:40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:0.1 V 最大直流电集电极电流:0.8 A Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:150 MHz 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:390 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 技术:Si 宽度:1.6 mm 商标:ROHM Semiconductor 集电极连续电流:0.8 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors

由于是不含溶剂的材料,不会留下残渣,可提高接合可靠性。由于可形成10μm(微米)以下的硬焊材料厚度,与以往的活性金属硬焊材料相比可将银块的成本控制在一半以下,并将硬焊材料热阻减半。
由于合成了铜材料,只需配合材料就可以形成图案,可实现工艺成本的降低。降低环境负荷由于是不含溶剂的材料,不会产生VOC(挥发性有机化合物)。
通过大幅度降低硬焊时间,可实现节能,并可期降低环境负荷。根据上述特点,本产品可活用于半导体领域等广泛用途,特别是可期在散热领域的扩展。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
增强现实导航系统和基于AI的数字汽车助手等应用日益普及,整车厂和一级供应商需要在对更大、更高分辨率显示器和高性能芯片飞速增长需求,与不断飙升的BOM成本及更长的开发时间之间取得平衡。
全新R-Car Gen3e和参考解决方案构建了无缝且经济高效的迁移路径,与现有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成,使客户能够更便捷地将其汽车级应用推向市场。
“GYE系列”(125℃ 4000小时保证)、“GYE系列”(150℃ 1000小时保证)等导电性高分子混合铝电解电容器,并且向车载、工业设备和通信领域等要求高可靠性的市场提出了解决方案。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-59-3 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V 集电极—基极电压 VCBO:40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:0.1 V 最大直流电集电极电流:0.8 A Pd-功率耗散:200 mW 增益带宽产品fT:150 MHz 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:390 高度:1.1 mm 长度:2.9 mm 技术:Si 宽度:1.6 mm 商标:ROHM Semiconductor 集电极连续电流:0.8 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:120 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量3000 子类别:Transistors

由于是不含溶剂的材料,不会留下残渣,可提高接合可靠性。由于可形成10μm(微米)以下的硬焊材料厚度,与以往的活性金属硬焊材料相比可将银块的成本控制在一半以下,并将硬焊材料热阻减半。
由于合成了铜材料,只需配合材料就可以形成图案,可实现工艺成本的降低。降低环境负荷由于是不含溶剂的材料,不会产生VOC(挥发性有机化合物)。
通过大幅度降低硬焊时间,可实现节能,并可期降低环境负荷。根据上述特点,本产品可活用于半导体领域等广泛用途,特别是可期在散热领域的扩展。
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