零电压谐振谷(ZV-RVS)和突发模式和LTE-M/NB-IOT芯片组
发布时间:2021/7/20 23:23:07 访问次数:394
模块内置意法半导体的STM32L462*超低功耗微控制器、GSMA认证的嵌入式SIM (eSIM) 模块 ST4SIM-200M和LTE-M/NB-IOT芯片组。
eSIM模块预装意法半导体授权合作伙伴Truphone的引导程序连接配置文件。该套件具有开箱即用的数据连接功能，并支持远程SIM卡开通置备和SIM卡无线更新功能。
用户用USB线连电源或在连接器中装入三节AAA电池即可启动开发板，然后再激活eSIM卡，把板卡连接到蜂窝移动网络，开始开发应用项目。
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DIP-23
封装: Tube
高度: 6.05 mm
长度: 29 mm
系列: CIPOS Micro
宽度: 12 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工厂包装数量: 240
子类别: PMIC - Power Management ICs
商标名: CIPOS
连续谐振模式(CRM)操作,器件还提供先进的零电压谐振谷(ZV-RVS)和突发模式,一支持整个负载范围和宽输出电压范围的最高效率.
600V高压起动单元,保证了快速充电和低待机功耗,支持无负载待机功耗小于75mW.
器件可配置缓升和低落保护,可配置内置软起动,可配置突发模式进入和退出捎带小量延迟的电流阈值,可配置过流保护,可配置输出过压保护,可配置开关频率的抖动,可配置传输时延补偿以得到精确的峰值电流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21无卤素添加标准.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
模块内置意法半导体的STM32L462*超低功耗微控制器、GSMA认证的嵌入式SIM (eSIM) 模块 ST4SIM-200M和LTE-M/NB-IOT芯片组。
eSIM模块预装意法半导体授权合作伙伴Truphone的引导程序连接配置文件。该套件具有开箱即用的数据连接功能，并支持远程SIM卡开通置备和SIM卡无线更新功能。
用户用USB线连电源或在连接器中装入三节AAA电池即可启动开发板，然后再激活eSIM卡，把板卡连接到蜂窝移动网络，开始开发应用项目。
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: DIP-23
封装: Tube
高度: 6.05 mm
长度: 29 mm
系列: CIPOS Micro
宽度: 12 mm
商标: Infineon / IR
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工厂包装数量: 240
子类别: PMIC - Power Management ICs
商标名: CIPOS
连续谐振模式(CRM)操作,器件还提供先进的零电压谐振谷(ZV-RVS)和突发模式,一支持整个负载范围和宽输出电压范围的最高效率.
600V高压起动单元,保证了快速充电和低待机功耗,支持无负载待机功耗小于75mW.
器件可配置缓升和低落保护,可配置内置软起动,可配置突发模式进入和退出捎带小量延迟的电流阈值,可配置过流保护,可配置输出过压保护,可配置开关频率的抖动,可配置传输时延补偿以得到精确的峰值电流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21无卤素添加标准.
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