索尼Pregius和Starvis传感器模块耐辐射塑料封装IC
发布时间:2023/1/31 22:03:56 访问次数:61
产品包括Omnivision OV9281传感器的相机模块，该模块用于价格敏感型应用和原型制作，以及装有时下流行的索尼Pregius和Starvis传感器模块，该模块满足VC MIPI IMX412高达12.3M像素的最高图像质量要求。
用于摄像机模块与各种CPU主板的15针/22针的FPC电缆、摄像机镜头和镜头支架的直接连接，另外还有VC MIPI中继器板，它支持五倍长的摄像头电缆，并提供额外的接口以及触发输入和闪光触发输出。
用于卫星电源管理系统的塑料封装抗辐射（rad-hard）设备的新系列。
制造商: Renesas Electronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: mm
长度: mm
宽度: mm
商标: Renesas Electronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 1.600 g
瑞萨电子的塑料 IC 系列共同支持多个轨道范围，提供各种卫星子系统和有效载荷所需的辐射性能和最佳成本平衡。
抗辐射 IC 在低剂量率 (LDR) 的总电离剂量 (TID) 高达 75krad(Si) 和线性能量转移 (LET) 为 60MeVcm 2 /mg 或 LET 86MeV时进行了特性测试cm 2 /mg 用于单一事件效应 (SEE)。
ISL71001SEHM 针对高剂量率 (HDR) 的 TID 额定值高达 100krad(Si)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
产品包括Omnivision OV9281传感器的相机模块，该模块用于价格敏感型应用和原型制作，以及装有时下流行的索尼Pregius和Starvis传感器模块，该模块满足VC MIPI IMX412高达12.3M像素的最高图像质量要求。
用于摄像机模块与各种CPU主板的15针/22针的FPC电缆、摄像机镜头和镜头支架的直接连接，另外还有VC MIPI中继器板，它支持五倍长的摄像头电缆，并提供额外的接口以及触发输入和闪光触发输出。
用于卫星电源管理系统的塑料封装抗辐射（rad-hard）设备的新系列。
制造商: Renesas Electronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: mm
长度: mm
宽度: mm
商标: Renesas Electronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
单位重量: 1.600 g
瑞萨电子的塑料 IC 系列共同支持多个轨道范围，提供各种卫星子系统和有效载荷所需的辐射性能和最佳成本平衡。
抗辐射 IC 在低剂量率 (LDR) 的总电离剂量 (TID) 高达 75krad(Si) 和线性能量转移 (LET) 为 60MeVcm 2 /mg 或 LET 86MeV时进行了特性测试cm 2 /mg 用于单一事件效应 (SEE)。
ISL71001SEHM 针对高剂量率 (HDR) 的 TID 额定值高达 100krad(Si)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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