eGaN FET可以在250 kHz的开关频率下实现97%的效率，可实现每相800 W，而硅基解决方案只能实现每相600 W，因为后者在100 kHz的最大开关频率下，电感电流受限。

工作在250 kHz频率下的四相氮化镓基转换器的效率，比工作在100 kHz的五相硅MOSFET转换器高出1.5%。

总的来说，与硅MOSFET解决方案相比，基于氮化镓器件的DC/DC转换器的速度快三倍，体积和重量都小35%以上，效率高1.5%以上。而且整体系统成本更低。

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS7844

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QSOP-20

分辨率: 12 bit

通道数量: 8 Channel

接口类型: SPI

采样比: 200 kS/s

输入类型: Pseudo-Differential/Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V

数字电源电压: 1.9 V to 5.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装: Tube

高度: 1.5 mm

长度: 8.75 mm

转换器数量: 1 Converter

功耗: 1.8 mW

宽度: 4 mm

商标: Texas Instruments

参考类型: External

DNL - 微分非线性: +/- 1 LSB

INL - 积分非线性: +/- 1 LSB

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 5 V

Pd-功率耗散: 4.5 mW

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 72 dB

工厂包装数量: 50

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 125.800 mg

借助完全集成的配置入网（onboarding）流程，TPDS v2软件允许客户选择安全解决方案，验证用例，制作原型，然后开始安全预配置过程。

Bourns最新型旋转式电位器还具备绝缘塑料轴、额定旋转周期为10,000次、工作温度范围为-10°C至+60°C等特性。

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