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IGBT的续流二极管传输速率20Gbps的USB 3.2 Gen 2x2接口

发布时间:2021/7/12 7:59:28 访问次数:358

随着 NVMe M.2 SSD 的普及,追求高速数据传输和便携体验的用户,也极大地推动了外置移动固态硬盘市场的发展。

MS12 金属移动硬盘盒,或许就是一个不错的选择。其不仅支持多种长度的 M.2 SSD,还采用了传输速率高达 20Gbps 的 USB 3.2 Gen 2x2 接口。

纯金属外壳的设计,使得 MS12 能够通过导热贴,将内部 M.2 SSD 的热量迅速导出,可保障长时间高负载工作状态下的运行速度和散热效率。

制造商:Texas Instruments产品种类:USB开关ICRoHS: 详细信息产品:USB 2.0 Multiplexers/Demultiplexers配置:2 x 1:2导通电阻—最大值:6 Ohms运行时间—最大值:30 ns空闲时间—最大值:17 ns工作电源电压:2.3 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:UQFN-10封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel带宽:1 GHz高度:0.55 mm长度:1.5 mm系列:TS3USB221A宽度:2 mm商标:Texas Instruments开发套件:TS3USB221AEVM开关数量:2 Switch工作电源电流:30 uA产品类型:USB Switch ICs工厂包装数量:3000子类别:Switch ICs电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:2.3 V单位重量:10 mg

Q101是专门针对分立半导体元器件(晶体管、二极管等)制定的标准。

IGBT比其他功率半导体的成本更低,但存在需要续流二极管才能工作(需要双芯片结构才能工作)、关断损耗较大的课题.

与IGBT相比,SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作(单芯片结构即可工作),而且关断损耗较小,但存在难以应对大功率的问题。

IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD,推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

随着 NVMe M.2 SSD 的普及,追求高速数据传输和便携体验的用户,也极大地推动了外置移动固态硬盘市场的发展。

MS12 金属移动硬盘盒,或许就是一个不错的选择。其不仅支持多种长度的 M.2 SSD,还采用了传输速率高达 20Gbps 的 USB 3.2 Gen 2x2 接口。

纯金属外壳的设计,使得 MS12 能够通过导热贴,将内部 M.2 SSD 的热量迅速导出,可保障长时间高负载工作状态下的运行速度和散热效率。

制造商:Texas Instruments产品种类:USB开关ICRoHS: 详细信息产品:USB 2.0 Multiplexers/Demultiplexers配置:2 x 1:2导通电阻—最大值:6 Ohms运行时间—最大值:30 ns空闲时间—最大值:17 ns工作电源电压:2.3 V to 3.6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:UQFN-10封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel带宽:1 GHz高度:0.55 mm长度:1.5 mm系列:TS3USB221A宽度:2 mm商标:Texas Instruments开发套件:TS3USB221AEVM开关数量:2 Switch工作电源电流:30 uA产品类型:USB Switch ICs工厂包装数量:3000子类别:Switch ICs电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:2.3 V单位重量:10 mg

Q101是专门针对分立半导体元器件(晶体管、二极管等)制定的标准。

IGBT比其他功率半导体的成本更低,但存在需要续流二极管才能工作(需要双芯片结构才能工作)、关断损耗较大的课题.

与IGBT相比,SJ-MOSFET无需续流二极管即可工作(单芯片结构即可工作),而且关断损耗较小,但存在难以应对大功率的问题。

IGBT的续流二极管采用SiC SBD 而非传统的Si-FRD,推出了可以降低损耗的Hybrid IGBT。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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