新的电流额定值模块。这使得Easy 1B和2B产品系列更趋完备，现在可通过结合最新的芯片技术，以PIM拓扑实现高达11 kW的功率解决方案，或以六单元拓扑实现高达22 kW的功率解决方案。

客户可以这样选择：要么用IGBT7技术替换IGBT4来提高使用Easy 2B模块的系统功率，要么在特定情况下用Easy 1B IGBT7替换Easy 2B IGBT4，减小获得相同功率所需的占板面积。

TRENCHSTOP IGBT7 Easy模块一样，新的电流额定值的模块完全符合工业驱动的设计需要。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WDFN-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:6 A Rds On-漏源导通电阻:260 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V Qg-栅极电荷:6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶体管类型:1 P-Channel 商标:ON Semiconductor 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 单位重量:17 mg

切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能，以及带有纠错功能的端到端数据保护功能，这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。

在热插入埠未使用时，将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下，PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式，尺寸为 15mm x 15mm。