相比前几代产品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能带来更高功率密度，大大降低损耗，并实现对电机驱动应用的高可控性。

结合此新型芯片技术的所有模块均设计成与上一代TRENCHSTOP IGBT4模块引脚向下兼容。这有助于制造商缩短针对全新逆变器平台的设计周期。

TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新型微沟槽技术，静态损耗较之IGBT4芯片低得多，其导通电压降低了20%。

制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WDFN-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:2.4 A Rds On-漏源导通电阻:380 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V Qg-栅极电荷:6 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:18 W 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 系列:NVTFS5124PL 晶体管类型:1 P-Channel 商标:ON Semiconductor 正向跨导 - 最小值:4 S 下降时间:10 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:14 ns 工厂包装数量:1500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:13 ns 典型接通延迟时间:7 ns 单位重量:29.570 mg

内建的 PCIe 3.0 时钟缓冲器可以减少零组件的整体使用数量，有助于降低 BOM 成本。

此整合式缓冲器具低功耗操作特色，成为业界独一无二的产品。可以使用三种参考频率选项：通用、独立参考无扩频 (SRNS) 及独立参考扩频 (SRIS)。

切换器中嵌入了多个直接内存访问 (DMA) 通道，尽量提高单一主机 (或多部主机) 与相连的端点之间通讯作业效率。

先进的电源管理能力，代表这款切换器符合最严格的节能要求。

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